TiO2/Al2O3堆栈结构high-k薄膜的制备及性能

采用磁控溅射法制备了TiO2/Al2O3堆栈结构高k栅介质薄膜,研究了不同后处理条件对等效氧化物厚度,界面电荷和界面扩散的影响.实验结果表明400℃退火后,TiO2已经结晶,退火可以降低漏电流密度和介电层中的电荷密度.同时,退火使Ti进一步向Al2O3层扩散,形成TiO2和A12为O3的混合层,Al2O3层过薄时不能有效阻挡TiO2的扩散.     

IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.     

快速加热和冷却法制备的极细多芯Nb_3A1线材的超导特性

介绍了一种快速加热快速冷却制备接近化学计量比的Nb3A1极细多芯线材的方法用四探针法测定试样的临界温度为17K,用Splitpair型磁体测试了试样随温度和磁场变化的临界电流．归一化后的单位体积钉扎力与所加磁场符合Kramer方程,晶界为可能的磁力线钉扎源由临界电流得到的上临界磁场与温度呈线性关系,外推得到临界温度的计算值与实测值基本一致．通过临界电流与温度和磁场的关系得到了Ic-T-B三维临界界面     

钢中贝氏体相变研究新进展

最近支持扩散或切变机制的学派都提供了很多实验观察的事实和理论计算的结果。目前对贝氏体相变机制争论的重点在于:碳原子和合金元素原子在贝氏体相变时的行为,贝氏体的形核理论和整体动力学,贝氏体相变造成的表面浮凸及贝氏体相变晶体学等。对最近这些方面的研究成果以及外界条件(应力、磁场)对贝氏体相变的影响总结分析后发现,钢中贝氏体相变机制可能与钢的成分和相变温度相关而非单一的相变机制。日后需对贝氏体相变与钢的成分和温度之间的关系进行深入研究而并不是仅限于论证贝氏体是由单纯的扩散还是切变机制形成。     

高介电常数栅介质材料研究动态

随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料巳不能满足技术发展的需求。为此,应用于下一代MOSFET的高介电常数栅介质材料已成为当今微电子材料的研究热点。文章介绍了高K材料抑制隧穿效应影响的原理及其应当满足的各项性能指标,并对其研究动态和存在的问题进行了阐述,指出了最有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种高K材料。     

快速加热和冷却法制备的极细多芯Nb3Al线材的超导特性

介绍了一种快速加热快速冷却制备接近化学计量的Ｎｂ３Ａｌ极细多芯线材的方法。用四控地测定试样的临界温度为１７Ｋ,用Ｓｐｌｉｔ ｐａｉｒ型磁体测试了试样随温度和磁场变化的临界电流。归一化后的单位体积钉轧力与所加磁场符合Ｋｒａｍｅｒ方程,晶界为可能的磁力线钉扎源。由临界电流得到的上临界磁场与温度呈线性关系,外摊得到临界温度的计算值与实测值基本一致。通过临界电流与温度和磁场的关系得到了Ｉｃ－Ｔ－Ｂ三维临界     

铜与硅之间W/Mo-N薄膜的扩散阻挡层性能

研究了铜与硅之间W／Mo-N薄膜的扩散阻挡性能。在Si(100)基片上利用反应溅射沉积一层Mo-N薄膜,然后再利用直流溅射在Mo-N上面沉积Cu／W薄膜。样品在真空下退火,并利用四点探针、X射线衍射分析、扫描电镜分析、俄歇电子能谱原子深度剖析等测试方法研究了Cu／W／Mo-N／Si的热稳定性及W／Mo-N薄膜对铜与硅的扩散阻挡性能。实验分析表明,Cu／W／Mo-N／Si结构具有非常好的热稳定性,在600℃退火30min仍未发生相变,并能有效的阻挡铜与硅之间的扩散。     

真空感应熔炼靶材磁控溅射生产高阻值薄膜电阻器

介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材，并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法，以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明，这种用真空感应熔炼方法生产的靶材，完全能用于薄膜电阻器的磁控溅射并能得到满意的薄膜电阻器的性能指标。     

内扩散法Nb3Sn多芯线材的磁化特性研究

研究了内扩散法Ｎｂ３Ｓｎ多芯线材随温度和磁场变化的磁化曲线及磁化率,绘出了磁化量－磁场－温度（Ｍ－Ｈ－Ｔ）的三维临界曲面,归一化后的磁化曲线基本符合Ｋｒａｍｅｒ拟和方程。计算得到的Ｎｂ３Ｓｎ多芯线材有效直径比芯线的原始几何尺寸要大,其原因在于微观结构中存在着“桥梁”,分析表明,多余的磁滞损耗来自于“桥梁”。交流磁化率和Ｘ’和Ｘ″在给定频率和背景磁场下,随交流振幅的变化很小,在给定交流振幅下,随交流     

纳米Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的长余辉发光行为

使用溶胶-凝胶技术合成纳米尺度的Sr2MgSi2O7Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,比较了该方法与固相法获得的长余辉粉体的光致发光行为和长余辉性能.溶胶-凝胶获得的纯相Sr2MgSi2O7Eu2+,Dy3+长余辉粉体是由纳米尺度的微晶形成的团聚颗粒,具有光致发光行为和长余辉发光特性.其发射峰位于465nm.而固相合成的粉体具有两个发射峰,分别位于404nm和459nm.产生这些差别的原因在于Eu2+在基质晶格中的不同配位情况.固相合成的粉体的余辉发光性能高于溶胶-凝胶粉体,其原因在于高温固相合成在基质内部产生了更高浓度的电子陷阱.