Na_2S钝化的GaAs表面光荧光特性的研究

本文用RPM2050型快速扫描光荧光谱仪(PL Mapper)研究经过Na2S.9H2O醇饱 和溶液钝化处理后GaAs表面的光荧光特性。结果表明,GaAs表面经过硫钝化处理后,可 大大降低复合速度改善发光效率。     

半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统

本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。     

印制电路板组装件非ODS清洗质量检测方法

本文主要介绍了印制电路板组装件焊接后非ODS清洗剂清洗质量表征参数的测量方法，这些参数主要包括：外观，干燥度，离子污染，助焊剂残留，表面绝缘电阻和电迁移等。     

红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究

文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10~(21)λ_c~(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10~(20)λ_c~(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10~(17)≤N≤2.0 ×10~(19)cm~(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.     

GaN薄膜发光特性的研究

通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。     

FT─IR技术在半导体材料中的应用

介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。     

Determination of Substitutional Carbon in SI-GaAs Thin Wafers by Infrared Microscope

Determination of substitutional carbon in SI-GaAs thin wafers was investigated by FT-IR microscopeat room temperature for the first time.The experimental results showed that the carbon concentration inGaAs thin wafers can be measured directly with simple treatment.The calculation method of carbon concen-tration is in agreement with that for normal IR spectrum with 0.5 cm~(-1)resolution.The resolution of1 cm~(-1)can be taken in order to obtain a high signal-to-noise(S/N)ratio using 2.34×10~(16)cm~(-2)calibration factor for calculating carbon concentration at room temperature.     

薄片半绝缘GaAs测试方法的研究

对在线工艺过程中实际使用的薄片（厚度为０．５ｍｍ左右）ＧａＡｓ试样中Ｃ浓度和ＥＬ２浓度的测量方法进行了研究，解决了常规方法难以测量薄片ＧａＡｓ中杂质含量的问题。     

硅中碳含量的低温红外光谱测量和碳带的温度特性

本文报告了硅单晶中替位碳红外吸收带温度特性和光谱分辨率对碳带特征参数影响的研究结果.在 80～310K温度范围,碳带半宽度随测量温度降低而线性减小,吸收系数和峰位分别随温度下降而线性增加和有规律地向高频方向移动;液氮温度时碳带吸收系数较室温增加一倍;低于液氮温度时碳带特征参数不随测量温度而变.不同光谱分辨率(1-4cm~(-1))测量结果表明:碳带吸收系数和半宽度分别随光谱分辨率提高增加和减小.室温和液氮温度碳含量的定量测量,光谱分辨率分别以2cm~(-1)和1cm~(-1)为宜.