砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为

本文比较了中子辐照。压缩变形和原生LEC砷化镓等三种不同来源样品的EPR“As_(Ga)”的Hamiltonian参数。并系统地研究了EPR“As_(Ga)”的浓度和低温光猝灭行为随退火温度的变化,从而进一步验证了EPR“As_(Ga)”的本性,即除孤立As_(Ga)反位原子外,还可能包括As_(Ga)的一些空位络合物。这些不同本性的EPR“As_(Ga)”缺陷及其它有关的缺陷在样品热处理过程中可能相互转化。按照物理化学中Le Chatlier原理,缺陷的原始浓度和晶体内部应变能似应是引起这些转化反应的重要因素。     

半导体硅材料展望与设想

本文论述了半导体硅材料的发展特点与趋向。超纯硅的重点在于工艺改革,国外许多公司致力改进西门子工艺设备,研究开发低成本多晶硅新工艺、方法,筹建、扩建大型硅厂等,以降低成本、扩大产量为主;硅单晶侧重工艺设备改革,各国竞相研制现代自动化大直径单晶炉,以增大直径,提高质量为主,研究集中在控制氧含量、降低碳含量、消除微缺陷和提高电阻率微观均匀性等方面;硅片精细加工是发展LSI关键步骤,已成为八十年代发展的新动向,提高表面平整度和制备无损伤表面尤为重要。文中侧重指出提高硅材料质量、削减成本和扩大产量的途径与技术措施。为迎接我国LSI大发展的到来,我们在调研基础上,提出加速发展我国硅工业的十项改革建议,试图形成一个各环节协调发展的、具有我国特色的“硅洲”的设想蓝图。     

四氯化硅在西门子多晶硅生产流程内部的循环利用

笔者之一曾在1982年发表的热力学分析的文章,结合近期国内多晶硅产业蓬勃发展的新形势和对西门子法工艺主要副产物SiCl4有效利用的迫切需要,本文试图探索四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程中循环利用的可能途径.     

GaAs材料中EPR“Asga”缺陷的本性

本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的超精细(hf)相互作用。更进一步,本文还讨论了空位对EPR“As_(Ga)”谱线宽度和一级hf常数等影响,从而首次明确指出GaAs中EPR“As_(Ga)”可鉴别为As_(Ga)及其有关空位络合物。     

Fe-Cu-C和Fe-Cu-Co-C熔体的热力学性质

本文测得碳在Fe-Cu-C和Fe-Cu-Co-C系中的溶解度和分层数据,计算这些体系中Cu和Fe的活度系数以及碳对Cu和Fe活度系数的影响。结果表明,随着体系中碳量的增加,相应地Cu活度系数增加,而Fe活度系数减少。在这些数据的基础上,还计算了Fe-Cu-C系的一级、二级活度相互作用系数,等活度时自由能相互作用系数和焓相互作用系数,并估计了Cu量对碳溶解过剩焓的影响。计算结果与其它已报道的Fe-j-C系相比较,发现这些热力学性质与原子序数之间有一定的规律。     

半绝缘GaAs中EPR“As_(Ga)”与EL2两种缺陷的对应关系实验研究

为了进一步阐明半绝缘液封直拉(SI LEC)GaAs中EL_2缺陷的本质,本文结合GaAs中有关点缺陷的形成机理进行了EPR“A_(SG_a)”及EL_2两种缺陷的对应关系实验,实验结果可用EL_2的A_(SG_a)V_A_(?)V_G_a原子构型及其应变模型形成机理较好的解释。     

四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用

笔者之一曾在1982年发表《SiCl4氢化反应的探索》的热力学分析的文章，结合近期国内多晶硅产业蓬勃发展的新形势和对西门子法工艺主要副产物SiCl4有效利用的迫切需要，本文试图探索四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程中循环利用的可能途径。     

有机电致发光显示器件基本原理与进展

对有机电致发光显示器件的发展历史，器件结构、工作特征、获得彩色显示的方法以及优缺点、发展现状和趋势等作了简要介绍。对小分子OLED与聚合物PLED、OLED与LCD的性质进行了比较，对OLED显示的发光机理进行了详细的综述。此外，对获得彩色显示的无源驱动电路和有源驱动电路的结构进行了总结，认为有源驱动将是最终发展结果。最后介绍了国内外OLED技术的发展状况。     

上海及周边地区平板显示器现状和发展设想

1上海及周边地区已经聚集着众多的TFT-LCD的上下游企业 在信息化和数字化时代,人们获得信息70%以上是通过显示器来实现的.由于对视觉信息的要求不断优化,平板显示器(如TFT-LCD、PDP、OLED等)已经形成了信息产业的重要支柱之一.尤其TFT-LCD在当今各类平板显示器中占绝对优势,已经成为唯一可以与集成电路相提并论的高科技产业.