高密度脉冲电流对Fe－Si－B非晶合金晶化过程的影响

对非晶Ｆｅ（７８）Ｓｉ９Ｂ（１３）合金进行了连续高密度超短脉冲电流处理和对应的等温退火处理，用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学技术研究处理后非晶试样的微观结构变化与晶化行为．实验结果表明，脉冲电流处理明显促进非晶合金的晶化，电脉冲对晶化的影响取决于脉冲电流对非晶中原子扩散的激励作用．     

电脉冲处理过程中试样温度的理论计算

用线性近似方法给出了电脉冲处理过程中试样平均温度的理论表达式 ,并采用绝热近似方法估算了叠加在试样平均温度之上的最大温度起伏为 ,ΔT=τpU/( 2l2 ρecpρ)。在所使用的电脉冲参数的范围内 ,代入相关的数值 ,估算结果为 :ΔT <30K。另外 ,电脉冲处理过程中无需考虑趋肤效应     

Fe_(78)B_(13)Si_9纳米晶合金的穆斯堡尔谱研究

用直流高密度电脉冲处理Fe78B13 Si9非晶合金 ,并用穆斯堡尔及透射电子显微镜 (TEM )研究了电脉冲处理试样的结构。实验结果表明 ,在所用电脉冲参数下 ,Fe78B13 Si9非晶合金在温度高于 40 0℃时即可发生纳米晶化 ,根据穆斯堡尔参数分析 ,两个晶态相被确定为α Fe(Si)和Fe2 B ,界面相具有低原子密度和展宽的原子间距分布 ,既长程序又无非晶态短程序 ,其原因在于 ,电脉冲作用下的纳米晶化 ,淬态试样中过剩的自由体积未经充分的衰减 ,而是被推移至剩余非晶以至界面内 ,故不同于用通常的等温退火方法由非晶合金制备的纳米晶合金。     

Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金电脉冲处理与等温退火的比较

用直流高密度电脉总和可比等温退火处理Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９非晶合金,并用ＸＲＤ,ＴＥＭ和穆斯堡尔谱方法进行了结构检测。结果表明,在电脉冲作用下,Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｐ９非晶合金在平均温度为４２０℃的条件下发生了纳米晶化,晶化度试样中无Ｆｅ－Ｂ相析出,无ＤＯ３型有序结构;晶化总量达３０．９％的无序ａ－Ｆｅ（Ｓｉ）相的平均尺寸为８～９ｎｍ,按二项式分布计算ａ－Ｆｅ（Ｓ     

一种基于AD9851芯片的DDS脉冲发生器

设计的脉冲发生器以DDS(Direct Digital Synthesize)芯片AD9851为核心,用单片机MSP430F169进行控制,通过改写DDS芯片AD9851的频率控制字,调节信号输出频率,频率范围为1 Hz～70 MHz.采用7阶椭圆低通滤波器,使信号具有快速衰减的幅频特性,同时采用增益控制电路调节信号幅值.样机具有性能稳定,功耗低,体积小,使用方便等优点.     

直流高密度电脉冲处理试样的温度测量

利用热电偶、红外热像仪和热电阻等多种测温方法测量了电脉冲处理过程中试样的温度。结果表明,在电脉冲处理过程中,除卡具附近的5mm以外,整个试样的温度可以认为是空间均匀的,但在平均试样温度之上存在着温度起伏。点焊于非晶薄带之上的热电偶能够准确地测量出在电脉冲处理过程中试样的平均温度及温度起伏,是方便可靠的测温方法。在所用的电脉冲参数下,叠加在试样平均温度之上的最大温度起伏为△T＜30K。     

利用非晶材料制备数字开关式磁敏传感器

利用Fe4.3Co68.2Si12.5B15非晶丝的巨磁阻抗效应（giant magneto-impedance GMI）,设计制作出一种新型的磁敏传感器,以满足在信息、测量和控制设备快速发展过程中对磁敏传感器小型化、低价、高灵敏度、快速反应的要求.介绍了巨磁阻抗效应,非晶材料特性,传感器的电路设计和传感器性能测试.     

电脉冲作用下非晶Fe78B13Si9的晶化及演变

用直流高密度电脉冲处理Ｆｅ８９Ｂ１３Ｓｉ９非晶合金,并用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了电脉冲处理试样的结构。实验结果表明,在所用电脉冲参数（Ｊ＝１３６０Ａ／ｍｍ＾２,τｐ＝４０μｓ,ｆ＝１８Ｈｚ）下,Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ９非晶试样可实现低温快速纳米晶化（脉冲处理时间ｔｐ＝８ｍｉｎ,试样温度Ｔ＝４２０℃）,晶化相为α－Ｆｅ（Ｓｉ）和Ｆｅ２Ｂ,平均晶粒尺寸约为３０ｎｍ,随电脉冲处理     

高密度脉冲电流对Fe—Si—B非晶合金晶化过程的影响

对非晶Ｆｅ７８Ｓｉ９Ｂ１３合金进行了连续高密度超短脉冲电流处理和对应的等温退火处理，用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学技术研究处理后非晶试样的微观结构变化与晶化行为。实验结果表明，脉冲电流处理明显促进非晶合金的晶化，电脉冲对晶化的影响取决于脉冲电流对非晶中原子扩散的激励作用。     

基于GMI效应的高斯计的实现

针对以非晶丝作为敏感元器件研制的磁敏传感器具有高灵敏度,快速响应等特点。利用非晶丝的GMI效应,通过弱磁场感应电路、放大和提取电路、A／D转换和终端显示电路,将弱磁场转化为直观可视的数据显示,并最终产品化为一种新型高斯计。实验结果表明,这种新型高斯计的灵敏度为18mV／μT,最小分辨率为100nT,非线性误差为0．76％F．S,它在测量地磁方面有很好的应用前景。