为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。     

短沟道MOSFET度越时间物理模型

叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释，模型 表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％。     

一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法

采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。     

几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,

本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。     

为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺优化设计和发展ＶＬＳＩＴＣＡＤ具有参考价值，同时给出了在常规氧注入能量（如１５０ｋｅＶ）下用增大剂量方法制备ＴＦＳＯＩ结构的理论依据．     

AlGaAs／InGaAs／GaAs异质结构中扩散噪声和扩散系数的蒙特卡罗研究

本文用蒙特卡罗法研究了ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构中二维电子气的扩散噪声和扩散系数．同ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构的情况一样，平行速度相关函数呈现振荡，但不同的是振幅随电子密度变化很小．另外，振幅在ＩｎＧａＡｓ层厚度增加时下降．用单个电子的相关函数和一组电子的位移方差两种不同方法计算了扩散系数．     

扎赉诺尔水厂沉淀池改造浅析

介绍了扎赉诺尔水厂为提高供水水质，延长滤池运行周期，将原有的平流沉淀池末端沉淀区改造成斜管沉淀池，并简要分析了沉淀池改造方案、实施情况及改造后的运行效果。     

精密多工位传递模设计

分析了电子枪零件的结构工艺性，提出了合理的工艺方案，阐述了模具的设计、结构、工作过程等。为了解决电子枪零件尺寸精度高、外观要求严格等问题，特制定了落料、一次拉深、二次拉深、整型、冲预孔、反拉深、冲本孔、翻孔、扩孔、切边等十个工序冲制零件；为了降低调整难度，采用了大泽多工位冲床，并介绍了此冲床的特点。该模具已投入生产使用，工作稳定，制件质量符合要求。     

短沟道MOSFET渡越时间物理模型

叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％     

考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型

提出了一个考虑速度过冲效应的亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ器件解析模型。亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似，根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果，提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法，得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。