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一、引言近年来,人们对FIB(聚焦离子束)装置用于大规模集喊电路制作的离子束曝光技术产生了很大兴趣。离子束曝光对抗蚀剂材料有较高的灵敏度,离子在材料中 相似文献
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一、引言近年来,随着高亮度液态金属离子源的出现,亚微米聚焦离子束技术迅速发展。FIB(聚焦离子束)在半导体和微型特殊器件制作技术中将发挥越来越大的作用。日本日立用B~+FIB无掩模注入Si中,制作出一种新型亚微米沟道长度器件—离子束MOSFET,它在电流增益、漏极击穿电压和短沟道阈值效应等方面都优于传统方法制造的同类器件;在FIB无掩模刻蚀、曝光技术中,已获得30nm的高分辨率的图案;FIB已成功地制成分辨率小于0.25μm的同步辐射光、X射线曝光用的掩模;利用FIB还可修理亚微米的掩模缺陷,目前已有商品FIB掩模修正仪问世;用FIB刻蚀亚微米小孔阵列,可加工超导电子学器件。本文报道在我们设计加工的FIB系统上刻蚀金膜、硅片及自显影FIB曝光的实验结果。本系统已能进行亚微米级微细加工工艺研究。 相似文献
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王克礼 《有色金属(矿山部分)》1987,(4)
<正> 我矿将军寨坑口箕斗井,自1984年10月正式投产以来,由于钢绳罐道滑动导向装置衬套,在较短的运行时间内,就被严重磨损,需要经常更换,给生产造成了一定的影响。衬套材料虽由尼龙改换成黄铜,也没有解决衬套磨损快,使用寿命短的问题。为了解决这一问题,我们根据生产实践及力学 相似文献
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一、引言 近年来,随着高亮度离子源的出现,微米、亚微米聚焦离子束装置迅速发展起来。其应用范围也不断扩大,包括:扫描离子显微镜、二次离子质谱仪、集成电路的掩模版的修理、无掩模注入以及离子束曝光等等。本文就这类装置,特别是用于离子束曝光等要求在较大扫描范围内得到足够小束斑的系统进行探讨。 相似文献