轮形铸铁件浇注系统与冒口联合补缩设计

采用半环形横浇道、内浇道径向引入.在浇注系统的对面安放侧冒口.直浇道、横浇道、侧冒口的大小采用模数计算法确定.用这种浇注系统和冒口联合补缩的工艺形式,生产中型(重85 kg)灰铸铁制动轮和球铁齿轮,消除了铸件缺陷.获得了内在和外在质量都高的轮类铸件,铸件合格品率98%～100%,铸件出品率85%以上.     

废羊毛制取L－胱氨酸

本文研究了以废羊毛为原料制取Ｌ－胱氨酸的工艺过程。试验就如何改善水解条件，强化水解反应，提高分离提纯的效果以及如何提高产品收率等方面做了大量工作，选择出最佳工艺条件。使产品收率稳定在６％以上，其质量达到国家出口标准。     

套筒类铸铁件卧浇爬芯单边浇冒口工艺

应用均衡凝固补缩技术,将立浇上雨淋浇口改为卧浇单边顶注浇注系统,消除了套筒类铸件的缩孔、缩松、夹渣、气孔等缺陷,成品率由50%～80%提高到97%以上.实践证明,卧浇"顶注优先冒口靠边"是解决套筒类铸件缩孔、缩松、渣气孔等缺陷的有效途径之一.     

基于级联神经网络的蛋白质二级结构预测

为提高蛋白质二级结构预测的精度,提出一种由两层网络构成的级联神经网络模型。第1层网络采用具有差异度的5个子网构成的网络模型,对第2层网络的输入编码进行改进。对PDBSelect25中的36条蛋白质共6 122个残基进行测试,结果表明,该模型能有效预测蛋白质二级结构,其预测精度分别比SNN, DSC, PREDSATOR方法提高5.31%, 1.21%和0.92%,平均预测精度提高到69.61%。     

基于低频正弦波励磁方式的电磁流量计设计

提出了一种采用低频正弦波励磁方式的电磁流量计的设计方法,并采用新型的信号处理方法使其比传统的信号处理方法更加简便可靠.实验表明:低频正弦波励磁方式在小流速阶段,可以减弱微分干扰的影响,提高流量计零点稳定性和测世准确度.     

硅片表面织构对“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池电性能影响的研究

在硅片制绒过程,研究了制绒添加剂体积分数、反应时间和反应温度对单晶硅片表面织构的微观形貌、反射率,以及制备的“选择性发射极(SE)+PERC”双面单晶硅太阳电池电性能的影响。结果表明：在目前单晶硅片制绒设备和工艺条件下,当碱液(KOH)体积分数为2%、制绒添加剂体积分数为0.7%、反应温度为84℃、反应时间为440 s时,制备的单晶硅片表面的金字塔尺寸较小,均匀性强,硅片表面的反射率最低,仅为9.914%,而得到的“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池的光电转换效率高达22.714%;调整制绒参数,可以有效提高单晶硅片表面织构中金字塔的均匀性,降低硅片表面的反射率,从而提高“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池的光电转换效率。     

交直流电压,电流及电阻自动检定装置

本装置利用美国FLUKE公司的校准仪器,APPLE Ⅱ微机,数字测量技术及IEEE—488接口对数字多用表进行检定,可用来检定3 1/2位至6 1/2位的任何数字多用表和数字电压表。装置能完成自动测试及检定结果的打印输出。本文对软件程序做了原则上的说明,并对误差做了初步分析。     

电工仪表校验新技术——微型计算机的应用

本文介绍了一种利用微型机进行校验电工仪表的方法,由控制原理深入到实际的电路设计,且比较详细地介绍了使用7150 DMM的IEEE——488标准接口的实现和校表的全部过程。     

能源与生态环境

水电与核电尽管有它自身存在的问题，但却是污染最轻的和最为可行的。     

新型功率半导体器件——Light MOS晶体管

基于非穿通NPT／沟槽工艺的Light MOS，是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点，栅极电容较MOSFET小10倍．具有低功耗损耗特征．最适台于在电子镇流器谐振半桥拓井中作为开关使用．并与3A／600V／1.5—3欧姆的MOSFET等效。