基于MOS Model 20的RF-S0I LDMOS大信号建模

提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally dif-fused MOS)大信号等效电路模型.描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象.射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值.模型的有效性是通过-20栅指(每指栅长L=lμm,宽W=50μm)体接触高阻RF-SOl LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的.结果表明,直流、S参数(10MHz～20.01GHz)以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合.说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度.本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展.模型由Verilog-A描述,使用ADS(hpeesofsim)电路仿真器.     

在片传输线等效电路模型的传递函数分析

提出了一种通过传递函数分析来确定在片传输线等效电路模型拓扑结构的新方法。通过这种方法,可分析得出由不同1-π单元组成的等效电路的拟合能力。通过对测量S参数的有理逼近构建了一个宽带宏模型。通过对比等效电路模型与宏模型的传递函数的零点和极点,开发出一种可靠且高效的确定传递函数等效电路结构的方法。分析发现复极点决定了模型的宽带拟合能力。共面传输线到50 GHz的测量S参数证明了本文提出的方法非常有助于寻找满足精度要求且最简单的拓扑。     

Double-πfully scalable model for on-chip spiral inductors

A novel double-πequivalent circuit model for on-chip spiral inductors is presented.A hierarchical structure, similar to that of MOS models is introduced.This enables a strict partition of the geometry scaling in the global model and the model equations in the local model.The major parasitic effects,including the skin effect,the proximity effect,the inductive and capacitive loss in the substrate,and the distributed effect,are analytically calculated with geometric and process parameters in the local-level.As accurate values of the layout and process parameters are difficult to obtain,a set of model parameters is introduced to correct the errors caused by using these given inaccurate layout and process parameters at the local level.Scaling rules are defined to enable the formation of models that describe the behavior of the inductors of a variety of geometric dimensions.A series of asymmetric inductors with different geometries are fabricated on a standard 0.18-μm SiGe BiCMOS process with 100Ω/cm substrate resistivity to verify the proposed model.Excellent agreement has been obtained between the measured results and the proposed model over a wide frequency range.     

TiB2强化高硬度高耐磨堆焊自保护药芯焊丝堆焊层性能分析

通过在Fe-Cr-C系药芯焊丝中加入不同含量TiB2粉末,制备TiB2强化高硬度高耐磨堆焊自保护药芯焊丝.借助光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射等手段,试验研究了其堆焊合金显微组织,并考察TiB2含量对该堆焊合金性能的影响.结果表明,堆焊合金组织为初生碳化物、马氏体和残余奥氏体,同时堆焊合金中生成了大量TiC-TiB2颗粒,并且弥散分布在初生碳化物和基体上;TiB2强化耐磨堆焊药芯焊丝的堆焊合金比不加TiB2具有更高的硬度和更好的耐磨性.     

金属粉芯型药芯焊丝熔滴过渡及飞溅观察分析

采用高速摄影技术对金属粉芯型药芯焊丝的熔滴过渡及飞溅进行观察分析,总结了金属粉芯型药芯焊丝在试验参数下的熔滴过渡类型和特征以及飞溅类型和特征,阐述了熔滴过渡特征以及飞溅特征产生的原因．结果表明,采用100％CO2气体保护时,焊接过程中电弧电压波动较大,熔滴过渡不稳．以排斥过渡为主,少量细颗粒过渡和爆炸过渡,焊接飞溅大;采用5％CO2＋95％Ar保护时,熔滴过渡为单一射滴过渡,熔滴过渡平稳,电弧稳定,焊接飞溅小;金属粉芯型药芯焊丝飞溅形式主要包括：气泡放出型飞溅、缩颈飞溅、熔滴爆炸飞溅以及电弧力引起的飞溅．     

基于MOS Model 20的RF-SOI LDMOS大信号建模

提出了一种新的基于Philips MOS Model 20 (MM20) 的RF-SOI (radio frequency silicon-on-insulator) LDMOS (laterally diffused MOS) 大信号等效电路模型. 描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象. 射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值. 模型的有效性是通过一20栅指 (每指栅长L=1μm,宽W=50μm) 体接触高阻RF-SOI LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的. 结果表明,直流、S参数 (10MHz~20.01GHz) 以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合,说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度. 本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展. 模型由Verilog-A描述,使用ADS (hpeesofsim)电路仿真器.     

Double-π fully scalable model for on-chip spiral inductors

A novel double-π equivalent circuit model for on-chip spiral inductors is presented.A hierarchical structure,similar to that of MOS models is introduced.This enables a strict partition of the geometry ...     

基于RESURF理论的SOI LDMOS 耐压模型研究

对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sentaurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性...     

双π片上螺旋电感全缩放模型

本文提出了一种新型的片上螺旋电感的双π等效电路模型。引入一个类似MOS模型的层次结构,将全局模型（global model）的几何缩放公式和单管模型（local model）的计算方程严格区分开来。主要的寄生效应,包括趋肤效应,邻近效应,衬底上的感性和容性损耗,以及分布效应,都可在单管模型中由几何和工艺参数计算。由于很难得到准确的版图参数和工艺参数,因此为了修正不精确的版图参数和工艺参数引起的误差,我们在单管模型中加入了一组模型参数。参数缩放公式可以描述各种几何尺寸的电感特性。模型的准确性通过一批具有不同尺寸,基于0.18-μm SiGe BiCMOS工艺的单端电感进行了验证,结果表明在较宽频段内,测试和仿真结果拟合良好。