智能工作站主机的MMPIS实验模型研究──一个全互连式结构MMPIS硬件环境的设计与实现

本文介绍中日国际合作开发研究的Ａ１型智能网（Ａ１型ＩＮ）智能工作站（ＩＷ）主机的并行推理硬件结构的实验模型设计与实现，给出了一种并行推理硬件支持环境实现方案和该方案在实现中若干问题的解决方法。     

碘的简并四波混频信号的饱和效应研究

本文研究了常温下I2四波混频(DFWM)信号强度与泵浦光能量的关系以及0℃下I2的DFWM光谱随压强的变化．本实验采用后向四波混频光路，用脉冲Nd：YAG激光器泵浦染料激光器，其输出波长在552～570nm范围内连续可调，脉宽为10nm，激光重复频率为10Hz．通过选定I2的共振波长，改变泵浦光能量Ef，测得常温、     

竹红菌甲素衍生物13－SO_3Na－DDHA电化学及光诱导还原的研究

本工作研究了化合物１３－ＳＯ＿３Ｎａ－ＤＤＨＡ在不同ｐＨ的缓冲溶液中的电化学氧化还原行为．实验证明：化合物中羰基的还原电位与ｐＨ之间存在线性关系，其直线的斜率为６０ｍＶ／ｐＨ．并证明了此过程为一步两电子、两质子还原过程：Ｑ＋２Ｈ￣＋＋２ｅ＝ＱＨ＿２．ＤＭＦ作为非质子溶剂，具有很好的稳定自由基的作用．向缓冲溶液中加入ＤＭＦ后，化合物１３－ＳＯ＿３Ｎａ－ＤＤＨＡ为两步单电子还原过程，相应溶液中的光诱导电子转移吸收光谱证实了以上电化学的结果．     

基于模型匹配的精馏塔产品质量非线性控制

将非线性系统模型匹配问题（MMP）应用于精馏塔产品质量控制器的设计,得到精馏塔的MMP非线性控制器,理论分析和仿真表明,该控制器实现了对部分干扰的解耦,具有良好的跟踪和调节特性。     

Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景.     

水气交替注入对CO_2驱油效果的影响

延长油田靖边203区块是典型的低孔低渗油藏,该区块正在进行CO_2驱先导性试验。水气交替注入(WAG)能有效控制驱替前缘流度,抑制气窜并延长见气时间,从而改善CO_2驱油效果。通过与连续气驱对比实验,研究了WAG对CO_2驱油效果的影响,并探讨了注气速度、段塞尺寸和气水比等注入参数对CO_2驱油效果的影响规律。结果表明:对于非均质性油藏,WAG比连续气驱具有更明显的优势;渗透率级差为10~30时,WAG能有效地抑制气窜,改善驱油效果;渗透率级差过大或存在裂缝时,WAG驱油效果变差;WAG的注气速度、段塞尺寸和气水比分别为50 m L/min,0.10 PV和1∶1时,驱油效果最佳,采出程度在水驱基础上提高了20.95百分点,最终采出程度为44.70%。     

低渗透油气田水平井开发特点及影响分析

水平井技术是开发低渗透油气田的一种有效途径,可大幅度提高勘探开发的综合经济效益。由于水平井对储层具有很大的穿透度,水平井技术能够有效的增大生产井段与地层的接触面积,降低生产压差,提高生产井的产能。因此,水平井技术十分适合于低渗油气田的开发。     

CO2驱油与封存的地面注入工艺技术

延长油田靖边乔家洼油区开展了CO2驱油与封存先导试验,初步建成单井CO2注入能力为10~20 t/d的地面注入系统。该系统主要由低温储罐、屏蔽泵、注入泵、水浴式汽化器及阀门仪表组成,储罐为系统连续供液,屏蔽泵为注入泵预增压,水浴式汽化器为储罐增压。运行初期发现储罐充液速度慢,注入泵进口压力低、预冷周期长、易气阻。通过工艺改造和操作优化,该系统逐步实现了正常注入,为低渗油藏中小规模CO2注入工艺积累了经验。     

基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片

研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14～18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB（±0.2 dB）,噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。     

Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器

报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。