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铜的表面含硅渗层的结构与性能 总被引:7,自引:1,他引:6
本文综述了利用SiH4/H2混合气体在纯铅铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明:通过纯铜表面气体渗硅定 新的化学热处理方法,其表面获得含硅渗层,可以改善2铜的表面摩擦磨损,冲蚀磨损及耐高温腐蚀等表面性能。 相似文献
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铜的气体表面渗硅新工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺,也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况,介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响。 相似文献
3.
铝表面化学气相沉积SiOx膜层的显微结构和性能 总被引:3,自引:0,他引:3
采用低温常压化学气相沉积(CVD)方法在铝基底上制备了硅氧化物陶瓷膜层.使用SEM、XPS、AFM、XRD、HRTEM和UV-VIS等技术分析了膜层的形貌、成分和组织结构特征,测试了膜层的孔隙率、光学和显微力学性能.结果表明:硅氧化物SiOx陶瓷膜层在铝基表面以气相反应沉积硅氧化物颗粒-颗粒嵌镶堆垛-融合长大的方式生成,大部分膜层为非晶态区域,其中包含少量局部有序区域,SiOx中的硅氧原子比为1:1.60~1:1.75,膜层疏松多孔,具有很高的紫外-可见光吸收率,膜层与基底具有很好的结合性. 相似文献
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本文综述了利用SiH4/H2混合气体在纯铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明:通过纯铜表面气体渗硅这一新的化学热处理方法,其表面获得含硅渗层,可以改善铜的表面摩擦磨损、冲蚀磨损及耐高温腐蚀等表面性能 相似文献
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本文采用低温常压CVD方法制备铝基SiOx陶瓷膜层.以黄铜为对磨材料,使用销-盘式磨损试验机对比研究纯铝表面与SiOx膜层的滑动磨损性能,通过SEM分析磨损的表面形貌并分析其磨损机理.结果表明纯铝表面发生粘着磨损,存在大量塑性变形和折叠,导致片状脱落,磨损率高;SiOx薄膜硬度较高,存在孔隙,表面发生塑性变形、崩塌和磨粒磨损;因薄膜孔隙具有储存润滑剂(水)的作用,磨损率明显低于对比纯铝样品;随沉积时间增加,SiOx膜层变厚,承载能力提高,磨损量减小. 相似文献
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铝基APCVD沉积SiOx膜层的光学性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层。采用XPS、
XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能
。研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包
含少量局部有序区域。SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外可见光吸收率和较高的近红外光吸收
率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁。 相似文献
XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能
。研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包
含少量局部有序区域。SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外可见光吸收率和较高的近红外光吸收
率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁。 相似文献
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本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺,也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况,介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响 相似文献
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铜表面气体渗硅涂层的抗氧化性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
对用硅烷-氢(SiH4/H2)混合气体在Cu表面进行化学热处理获得的含硅涂层进行了抗氧化性研究.结果表明,纯铜表面含硅涂层的形成提高了材料的抗氧化性能.对含硅铜涂层的氧化机理进行了探讨. 相似文献
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