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采用预铺Ga或NH_3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底(PSS)表面,然后外延生长了GaN薄膜,研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响。结果显示,PSS经过预铺Ga后生长的GaN薄膜具有平滑的表面和清晰平直的原子台阶,且位错密度最低;氮化后生长的GaN薄膜原子台阶较宽,螺型位错密度较低;衬底未经表面处理生长的GaN薄膜,原子台阶模糊,位错密度最高;同时,与氮化或未经预处理的方法相比,经过预铺Ga的方式预处理PSS表面后生长的GaN薄膜残余应力最小。分析认为,预铺Ga、氮化等方式处理衬底表面,改变了PSS微结构,有利于生长表面平滑、晶体质量高、残余应力小的GaN薄膜。 相似文献
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本文以ZQL-180高压气淬炉为例,研究了不同结构喷嘴流场的均匀性;冷却风机作为气淬炉的关键核心部件之一,其功率的选型对工件冷却效果起到非常重要的作用;采用FLUENT软件数值模拟不同电机功率与气淬压力下工件的冷却效果,并结合实验结果,得到较为合理的工艺参数。 相似文献
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