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用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高. 相似文献
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采用高温高压方法制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20,测试发现样品具有微米级晶粒和单相的NaCl结构。高压合成的Ag0.8Pb18SbTe20样品为N型半导体,电阻率和Seebeck系数的绝对值随温度的升高而增大。同其它方法制备的AgPb18SbTe20体系材料相比,高温高压方法制备的样品具有较低的电阻率。较低的电阻率导致了较大的功率因子(S2σmax≈17.2μW/cm-1K-2,T≈585K)。 相似文献
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立方碳化硅(3C-SiC)是一种在极端条件下具有优异机械和物理性能的理想材料.然而,由于其生长深度有限且脆性较高,研究其材料去除和摩擦性能具有一定的挑战性.在本研究中,我们使用扫描电子显微镜对厚度约为20μm的3C-SiC单晶进行了原位纳米划痕研究,并观察了其各向异性行为.随后在(100)平面上沿[110]和[100]方向分别进行了纳米划痕实验.与[100]方向相比,[110]方向在划痕过程中表现出更高的硬度,导致材料去除率较低和摩擦系数较高.通过对划痕沟槽的原子级分辨观察,我们发现3C-SiC的塑性去除是通过位错滑移和显著的晶格畸变实现的.在塑性变形阶段,两个划痕方向的亚表面主要经历了全位错滑移.此外,强烈的应变导致了多晶化,这是3C-SiC中的一个重要变形机制. 相似文献
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基于共价固体硬度正比于单位面积上每根化学键对压头的阻抗之和的假设.提出了估计极性共价固体硬度的微观理论。计算了新近合成的立方尖晶石结构Si3N4的理论硬度,计算值与最近报道的实验值吻合。最后.预测了高密度C3N4异构体的理论硬度。 相似文献
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合金元素铜和镍对铸铁短纤维烧结特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了1100℃烧结温度下合金元素铜、镍含量对铸铁短纤维烧结特性的影响规律,结果表明:与铁—铜粉末压坯相比,铸铁短纤维—铜压坯烧结后的最大膨胀率及相对应的铜含量均明显减少。产生膨胀的主要原因是铜熔化后,富铜液相向奥氏体中扩散,在原位留下空隙,而液相沿界面流动不明显。镍显著加快了铸铁短纤维烧结体的致密化。在镍含量高于4.5%时,显微组织中出现奥氏体相,在奥氏体与珠光体边界析出网状渗碳体,在奥氏体晶内析出魏氏碳化物及游离石墨,引起致密化速率下降,断裂方式由延性断裂转化为脆性断裂。 相似文献
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新型三维(3,3)碳纳米管聚合体 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了单壁(3,3)碳纳米管束在高压下的结构演变过程。在静水压40 GPa下,(3,3)碳纳米管束会直接聚合形成一种新型六方三维碳纳米管聚合体(命名为六方3D-(3,3)碳)。卸除压力后,它能保持其结构不变,成为一种新型半导体性的超硬碳。该研究为压缩碳纳米管合成新型碳提供了理论依据。 相似文献
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