北京联合大学大学生体育需求状况的调查研究

采用文献资料法、问卷调查法对北京联合大学的1000名大学生就体育需求进行调查,了解掌握当前大学生体育需求的现状、特征和规律,发现存在的问题,并对此提出意见与建议。     

In2O3：Sn（ITO）薄膜的光学特性研究

对掺三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄ Ｉｎ２Ｏ３简称ＩＴＯ）薄膜光学特性进行了研究。结果表明,该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ＩＴＯ薄膜在红外区的反射率随薄膜广场电阻的减小而增大,表现在金属性质,ＩＴＯ薄膜的电磁本构特性参数光学折射率ｎ和消光系数Ｋ在４５０－８００ｎｍ区间的色散很弱,基于对薄膜光学吸收及收系线性拟事表明,薄膜在Ｋ＝０处价速写对导带的跃迁是禁戒跃迁。     

In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3,简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析,研究了薄膜晶格常数畸变的原因,同时讨论了ITO和ZAO薄膜的导电机制.结果表明,低温沉积ITO薄膜的晶格膨胀来源于Sn2+对In3-的替换,导电电子则由氧缺位提供;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Sn4+对In3+的替换,导电电子则主要由Sn4+取代In3+后提供.低温ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致,即由Al3+对Zn2+的替换和氧缺位两者共同提供     

In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 的替换和氧缺位两者     

ITO薄膜的XPS和AES研究

分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明,退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．氧缺位状态主要分布在薄膜表层各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集     

柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性

利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯,在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜。结果表明,ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变;柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底;尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响。     

医院大型医疗设备机房电气设计中注意事项

为了加快医院的现代化建设,提高医院的医疗水平,各大医院均要安装大量的先进医疗设备,如何保证这些医疗设备长期安全、可靠、稳定和有效地运行,就成为设计师们需要考虑的问题。分析了大型医疗设备的分类,介绍其供电方案,重点讲述了广泛使用的CT(Computed Tomography)、较先进的MRI(Magnetic Resonance Imaging)、先进的PET-CT(Positron Emission Tomography-Computed Tomography)以及治疗用的γ刀放射治疗及直线加速器等五种典型医疗设备机房电气设计中的注意事项,最后从设备主机电源、设备机房选址、供电线路、接地及弱电五个方面讲述了实际工程设计中的几点心得体会,以供类似工程设计时参考。     

照明设计中的节能方法

在保证不降低作业视觉要求,不降低照明质量的前提下,力求减少照明系统中的光能损失,最有效地利用电能。     

超薄Al膜可见光光学特性与其特征尺寸的关系

利用ＷＦＺ９００－Ｄ４型紫外／可见光分光光度计,测量了磁控溅射超薄Ａｌ膜的可见光反射比和透射比。采用牛顿－辛普森方法确定超薄Ａｌ膜光学函数,进而计算其介电函数,得到了它们随膜层厚变化的关系。结果表明,不同特征尺寸的薄膜,具有不同的电磁特性参数。     

小型污水处理厂自动控制系统的控制电路设计

以某小型污水处理厂工程为例介绍自动控制系统的控制电路设计,为同类工程的设计提供一些参考.