红外热成像无损检测在压力容器检验中的应用

介绍了红外热成像无损检测的理论基础、硬件与软件。综述了红外热成像无损检测在压力容器检验中的应用状况,包括压力容器用金属材料疲劳检测、实验室压力容器疲劳检测、在用压力容器现场检测。指出了红外热成像无损检测在压力容器检测中的发展方向。     

弯曲磁过滤电流对TiN膜质量的影响

为研究弯曲磁过滤弧离子镀工艺的磁过滤电流变化对薄膜质量的影响,用弯曲磁过滤弧离子镀工艺在3.0～4.5A内变化磁过滤电流制备了TiN薄膜样品,用扫描电子显微镜观察了薄膜表面与截面形貌,用X射线衍射研究了薄膜的组织结构,从等离子体角度分析了磁过滤电流对薄膜表面质量、结晶质量等薄膜质量及生长速率的影响.结果表明,引入磁过滤后,因去除大颗粒的结果使薄膜表面均很光滑,且表面大颗粒的尺寸与磁过滤电流的大小关系不大.当磁过滤电流为4.0A时,TiN薄膜结晶良好、膜基结合紧密,生长速率达到最大的1.1μm/h,且具有很强的[200]择优取向.在4.0A磁过滤电流下制备的TiN薄膜所呈现的质量特性是由于此电流下等离子体密度与能量高、基体的位置又正好处于聚集的等离子体区域中心.     

甲烷浓度对金刚石膜表面形貌及其热导率的影响

以甲烷为碳源气体,用直流等离子射流法制备了金刚石膜.研究了不同甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌和热导率的影响.结果表明,在甲烷浓度φ(CH4)为1.5%时,可以获得较高热导率的金刚石膜.     

划痕法综合评定膜基结合力

用划痕实验探索了综合表征膜基结合力的方法.在瑞士CSM仪器的微划痕测试仪(Micro-Scratch Tester,MST划痕仪)对真空多弧离子镀设备制备的WC-Co/TiN膜基结合力进行划痕实验,系统地介绍了如何利用MST划痕仪所测的声发射数据、摩擦力数据及光学、电子扫描划痕形貌来综合评定膜基结合力,并用WS-92划痕仪对评定结果进行验证.评定结果表明,单一的声发射图谱或摩擦力曲线不能准确判定膜基结合力的表征值临界载荷,声发射图谱、摩擦力曲线与划痕形貌综合评定临界载荷结果才可信.WS-92划痕仪测量的结果验证了MST划痕仪评定结果的准确性.     

红外热成像无损检测在压力容器检测中的应用

介绍了红外热成像无损检测的理论基础、硬件与软件。综述了红外热成像无损检测在压力容器检验中的应用状况，包括压力容器用金属材料疲劳检测、实验室压力容器疲劳检测、在用压力容器现场检测。指出了红外热成像无损检测在压力容器检测中的发展方向。     

海水浸泡后的丁烷球罐球壳板检测与分析

丁烷球罐球壳板在海水中浸泡约6个月,打捞上岸后对其进行安全性能检测。对安全性能状况有代表性的21块球壳板进行了外观检查、厚度测量、几何尺寸检测、腐蚀检测及分析,发现球壳板已经受到较严重的腐蚀,外观、厚度、几何尺寸、腐蚀检测等检测项目的结果分别有不符合要求的情况,综合评定抽查的21块球壳板均不符合标准规范、设计文件或使用要求。     

CVD金刚石薄膜晶粒尺寸对热导率的影响

用直流等离子喷射法 ,以甲烷、氢和氩气的混合气体为原料 ,在钼基体上合成了较高质量的CVD金刚石薄膜。对该薄膜的生长面及其背面的晶粒尺寸进行了研究 ,指出其一般规律 ,进一步探讨了CVD金刚石薄膜的晶粒尺寸对其热导率的影响规律。     

用弯曲磁过滤提高弧离子镀TiN薄膜质量

采用弯曲磁过滤真空阴极放电弧离子镀法制备高质量TiN薄膜。用场致发射电子扫描显微镜观察薄膜表面与截面形貌。分析弯曲磁过滤对膜表面质量与晶粒尺寸、膜基结合形态的影响。磁过滤能有效减少大颗粒数量,减小大颗粒尺寸,形成光滑的TiN薄膜表面,细化TiN晶粒,形成结合紧密的膜基结构。     

CVD金刚石薄膜热,导率的研究

研究了直流等离子体喷射沉积金刚石膜的晶粒尺寸、晶粒取向、膜厚、杂质和缺陷对金刚石膜的热导率的影响。结果表明，随着晶粒尺寸的增大，金刚石膜的热导率先慢后快逐渐增大；随着膜的增厚，热导率先大幅度提高，达到一定值后，变化率变小；晶粒（111）取向对金刚石膜的热导率最有利，其次是（110）；非金刚石碳相和缺陷都降低膜的热导率，但晶间空隙对热导率的影响比非金刚石碳相大。     

Effects of deposition parameters on microstructure and thermal conductivity of diamond films deposited by DC arc plasma jet chemical vapor deposition

The uniform diamond films with 60 mm in diameter were deposited by improved DC arc plasma jet chemical vapor deposition technique. The structure of the film was characterized by scanning electronic microcopy(SEM) and laser Raman spectrometry. The thermal conductivity was measured by a photo thermal deflection technique. The effects of main deposition parameters on microstructure and thermal conductivity of the films were investigated. The results show that high thermal conductivity, 10.0 W/(K-cm), can be obtained at a CH4 concentration of 1.5% (volume fraction) and the substrate temperatures of 880-920 ℃ due to the high density and high purity of the film. A low pressure difference between nozzle and vacuum chamber is also beneficial to the high thermal conductivity.