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用透射电子显微镜和X射线衍射方法研究Si衬底上的Co薄膜氧化.发现:在550℃以下,薄膜氧化产物是CoO;在900℃再次进行真空热处理,CoO能转变为硅化物.薄膜氧化,对Co/Si界面硅化物转变有影响. 相似文献
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Co—Si界面低温(≤450℃)相变的电子显微术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用透射电镜的衍射方法,研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变。用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现:室温下薄膜没有相变。在250℃,Co2Si为最先形成的硅化物;250℃30分钟处理后,产生大量的CoSi相。450C1小时处理形成单相的CoSi。从本实验结果与前人研究结果对比发现:观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果。 相似文献
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