确保国企改组改制平稳有序进行

本文作者在深入分析我国国有企业改组改制工作进展概况、存在问题及其成因的基础上,结合各地的经验教训,提出了加强组织领导、以政策为导向和落实好民主程序为中心的工作思路,以确保国企改组改制工作平稳有序进行。     

今天的学习就是明天的能力

邯邢冶金矿山管理局玉石洼铁矿开展＂创建学习型企业、争做知识型职工＂活动以来,已先后涌现出矿山局安全生产专家、河北省冶金行业劳动模范赵海棠,邯郸市百名能工巧匠邢建国,     

做好跨文化管理 实现和谐性并贼——中色集团成功接管卢安夏铜矿管理经验谈

从分析中色卢安夏铜业有限公司接管卢安夏铜矿的文化;中突开始,通过梳理做好跨文化管理的有效做法,提出做好接管境外矿山跨文化管理的成因及若干建议。     

铜工业要走铜电联营之路

由于国内原料短缺和经济的高速发展,我国铜产品净进口量不断增长,铜已成为我国除石油天然气之外的第二位严重短缺、制约国民经济发展的战略物资。而国内铜产业尽管快速发展,但作为事实上的高耗能企业深受电费过高的困扰。目前,政府对铜企业的过高电费给予了一定的优惠电量、电价,但幅度不够,而且,这样的政策扶持受到入世后非歧视性条款的限制,不具有长久性、根本性。因此,迫切需要在政府的引导下,按照市场经济的原则,打破行业之间的条块分割,在兼顾供电、发电、用电各方利益的基础上,实行铜电联营,实现我国铜工业的做大做强,为国民经济的发展做出更大的贡献。     

产业重组透视

自2001年12月正式签署加入WTO协议始，我国经济与世界经济融合的步伐明显加快，国内经济受国际因素的影响越来越深。在石油价格持续攀升，钢铁业被迫接受铁矿石涨价71．5％的影响尚未平静之时，正在为取消配额而欢呼的纺织业又接连遭到欧美的紧急调查和设限——这一连串的令人震惊的事件突显我国经济在驶入全球化的“外海”和“深海”区时风险急遽上升。     

SOI器件的增强短沟道效应模型

为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系,利用器件模拟软件ISE TCAD,对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟.模拟结果表明,随着沟道长度的减小,背沟道MOS管阈值电压漂移越来越大,并且漂移量和辐照偏置密切相关,称此效应为SOI器件的增强短沟道效应.以短沟道效应理论为基础对此效应的机理进行了解释,并以短沟道效应模型为基础对此效应提出了一个简洁的阈值电压漂移模型,通过对ISE模拟结果进行曲线拟合对所提出的模型进行了验证.     

MOSFET迁移率增强技术

随着MOSFET特征尺寸的缩小,载流子的迁移率降低已成为器件性能衰退的主要因素之一,迁移率增强技术因此获得了广泛的研究和应用。衬底诱生应力、工艺诱生应力和采用不同的衬底晶向等三类方法都可以显著提高载流子的迁移率。文章综述了常见的几种迁移率增强技术。     

SPTC~+-IGBT characteristics and optimization

A novel advanced soft punch through(SPT) IGBT signed as SPTC-IGBT is investigated.Static and dynamic characteristics are simulated based on the 1200 V device structure and adopted technology.Extensive research on the structure optimization of SPTC-IGBT is presented and discussed.Compared with the structure of conventional IGBT,SPTC-IGBT has a much lower collector-emitter saturation voltage and better switching characteristics.Therefore it is very suitable for applications blocking a voltage higher than 3000 V.In addition,due to the improvement of switching speed achieved by using a thinner chip,SPTC-IGBT is also very competitive in 1200 V and 1700 V applications.     

铜电联营是我国铜工业发展的新途径

一、前言由于国内原料短缺和经济的高速发展,我国铜产品净进口量不断增长,铜已成为中国除石油、天然气之     

Si (100) 表面 (NH4)2S 处理及其对Al/Si肖特基势垒的影响

The effect of Si （100） surface S passivation was investigated. A thick film with a high roughness value was formed on the Si surface treated by （NH4）2S solution, which was attributed to physical adsorption of S atoms. SEM and XPS analyses reveal that Si surface atoms were chemically bonded with S atoms after Si surface treatment in NH4OH and （NH4）2S mixing solution. This induces a more ideal value for the Schottky barrier height compared with a diode treated only by HF solution, indicating that surface states originating from dangling bonds are passivated with S atoms.