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1.
苗柏和  谢锡善 《金属学报》1986,22(1):44-143
使用薄膜TEM(透射电镜)直接观察了成分相近但热处理制度不同的两个炉号GH36合金的显微组织,使用SAD(选区电子衍射)和DF(暗场)技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约为几nm至十几nm,由Moire干涉纹计算出最小的VC颗粒尺寸只有2.8nm。此外还有M_(23)C_6和NbC。其中VC和M_(23)C_6与合金基体的取向关系是[011]_(VC)//[11]_M//[011]_(M_(23)C_6),(111)_(VC)//(111)_M//(111)_(M_(23)C_6),(200)_(VC)//(200)_M//(200)_(M_(23)C_6)。通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M_(23)C_6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性。  相似文献   
2.
Six thin sections of spheroidal graphites in cast iron have been investigated by TEM and SEM.Thespheroidal graphites consist of two or three layers and have nuclei which are composed of Ce_2O_2S and Ce_2O_3.Cerium is existed ont only in nuclei,but also in central layer and middle layer of graphite.  相似文献   
3.
在GH302合金的萃取μ相电子衍射花样中,(经X射线粉末衍射确定为μ相)出现了μ相空间群为(?)m的-h k l(?)3n禁止衍射。例如:[001]带轴中的{100},{200}等衍射斑点,以及{111}带轴中的{(?)},{(?)}等衍射斑点,这些禁止衍射斑点,不属于二次衍射,高级劳厄带或者其它物相(例如MgZn_2型Laves相)的衍射斑点。因此,根据衍射消光规律可以确定该物相为简单六方点阵,其晶胞参数与μ相((?)m)用六方点阵所描述的情况相符合。它可能是一种μ相局部有序结构。  相似文献   
4.
苗柏和  文涛 《硅酸盐学报》1992,20(2):186-191
使用透射式电子显微镜观察和分析了Si-Ti-B掺杂烧结金刚石/硬质合金(PDC)中金刚石层(PCD)的显微组织、金刚石及其粘结相的形态与结构。烧结后的金刚石晶粒有两种:具有高位错密度的晶粒是经塑性变形而未发生再结晶的晶粒和有低位错密度的已发生了再结晶的晶粒。晶体学取向不同的片层状β-SiC是主要粘结相,连续分布于金刚石颗粒之间。粘结相中的TiC颗粒分布在金刚石和β-SiC的边界上。此外,还有微量的残留的Si和Ti颗粒分布在金刚石边界或β-SiC颗粒之间。本文还讨论了烧结过程中上述物相的形成及其对材料力学性质的影响。  相似文献   
5.
6.
研究了奥氏体化温度对25SiCrMoVA钢的淬透性和强韧性的影响,试验结果表明,超高温淬火可以显著增加其淬透性及冲击韧性。  相似文献   
7.
使用薄膜TEM(透射电镜)直接观察了成分相近但热处理制度不同的两个炉号GH36合金的显微组织,使用SAD(选区电子衍射)和DF(暗场)技术做物相分析。结果表明,合金经正常热处理后析出细小弥散分布的VC,尺寸约为几nm至十几nm,由Moire干涉纹计算出最小的VC颗粒尺寸只有2.8nm。此外还有M_(23)C_6和NbC。其中VC和M_(23)C_6与合金基体的取向关系是[011]_(VC)//[11]_M//[011]_(M_(23)C_6),(111)_(VC)//(111)_M//(111)_(M_(23)C_6),(200)_(VC)//(200)_M//(200)_(M_(23)C_6)。通过补充时效后合金中VC颗粒聚集长大,晶界析出的M_(23)C_6更多,这种组织及晶界状态有利于改善合金的持久缺口敏感性。  相似文献   
8.
激光表面熔凝CuCr50粉末冶金材料   总被引:5,自引:0,他引:5  
使用额定功率为9kW的连续CO_2激光在熔渗CuCr粉末冶金料片表面进行原位熔凝合金化,结果表明,2至3mm厚的CuCr50合金层内显微组织显著细化,CuCr组元分布均匀,熔凝层的硬度明显高于同组成的粉末冶金材料。这种具均匀细小的显微组织的CuCr50合金触头工作表面有列高的机械和电器性能。  相似文献   
9.
采用X射线衍射分析和透射电镜研究了Si-Ti-B掺杂金刚石的烧结过程和显微结构。其烧绪过程可分为四个阶段。Si、Ti与金刚石的表面碳或石墨反应生成碳化物,通过碳化物的烧结将金刚石晶粒结合起来。β-SiC是重要粘结相,为取向不同的层错型孪生组织,呈网状分布于金刚石晶粒之间。TiC呈颗粒状分布在金刚石和β-SiC晶粒之间。  相似文献   
10.
简要介绍了中、高压输配电系统中真空断路器(VCB)用CuCr触头材料的现状和发展,讨论了近年来在解决工程应用中因真空断路器小型化、开发低接触力真空断路器和高压用真空断路器等引发的触头材料接触熔焊问题以及如何应对市场降低触头产品价格的压力实现触头材料制造企业的可持续发展。  相似文献   
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