阴极电弧沉积多元合金膜层的织构及其形成

采用阴极电弧沉积方法，制备了与靶材成分基本相同的多元合金Inconel625膜层[1]。用XRD，SEM，TEM研究了不同入射角下所获膜层中的织构分布及其成因。     

论金属材料表面技术的现状及发展方向

材料表面技术，是指对材料表面进行涂镀、扩渗和处理的技术。     

在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜

ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料，用于制作发光器件有较大的应用前景，采用单源喷发、离化原子团束（ICB）技术在GaAs（100）上外延ZnSe单晶薄膜，并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s，并具有原子水平平整程度的ZnSe（100）单晶薄膜。外延薄膜存在0．2～0．4μm的应变过渡层，过渡层随淀积能量的增大而变薄。     

非平衡磁控溅射及其应用

磁控溅射镀膜技术由于其显著的特点已经得到广泛的应用。但是常规磁控溅射靶表面横向磁场紧紧地束缚带电粒子，使得在镀膜区域的离子密度很低，一定程度上削弱了等离子体镀膜的优势。通过有意识地增强或削弱其中一个磁极的磁通量，使得磁控溅射靶的磁场不平衡，可以大大提高镀膜区域的等离子体密度，从而改善镀膜质量。此外还讨论该项技术目前的发展状况。     

Fe/Mo,Co/Mo多层膜的结构与磁性研究

利用离子束溅射方法制备了具有不同调制周期的Fe/Mo和Co/Mo金属磁性多层膜,并比较系统地研究了它们的结构和磁性。通过结构研究发现,Fe/Mo和Co/Mo系统的多层膜都具有良好的周期调制结构;当多层膜的调制周期比较大时,多层膜样品表现出一定的择优取向关系,而多层膜调制周期比较小时,多层膜内部的结晶状态变差甚至变为微晶(Fe/Mo系统)或非晶态(Co/Mo系统)。结合磁性测量的结果发现,对于Co/Mo系统多层膜样品,在Co-Mo界面处存在有金属中间化合物构成的“死层”,它的存在使得多层膜的饱和磁化强度随着Co的单层厚度的减小而下降。     

Sb_2Se_3光盘记录介质的研究

本文用蒸镀法制备了Sb_2Se_3。光盘记录介质膜,用背散射分析测定了介质膜的成分。在210℃热退火过程中,Sb_2Se_3膜的光透射率从32％变化到7％。透射电镜分析表明,光学特性的改变与介质膜结构从非晶态向晶态的转变有关。     

铜薄膜与Al_2O_3陶瓷界面结合力的IBAD过渡层增强

利用离子束辅助淀积(IBAD)方法在Al_2O_3陶瓷基片上镀制过渡金属层,然后在此过渡层上进一步用电子束蒸发镀制铜导电薄膜。这种复合方法镀制的铜膜在具有低电阻率的同时,界面附着力有大幅度增加。在本文实验条件下,有IBAD铜或钛过渡层薄膜的附着力比没有过渡层的薄膜附着力分别增加了5倍和8倍。     

薄膜溅射沉积过程中的原子喷丸效应

原子喷丸效应是薄膜溅射沉积过程中的普遍现象，是指反弹工作气体原子和溅射原子构成的荷能粒子流对生长膜面的轰击作用。这些荷能粒子在向基片输运的过程中受到工作气体原子的散射。原子喷丸效应与靶材和工作气体的原子质量比以及工作气体压强密切相关。以平面磁控溅射Co－Cr，Ni-Fe和Gd－Fe等二元合金薄膜为对象，研究其内应力与Ar工作气体压强的关系，并探讨原子喷丸效应对应力的影响。在靶材原子质量较大并且工作气体压强较低的情形下，可导致薄膜中呈压应力。     

非平衡磁控溅射及其应用

磁控溅射镀膜技术由于其显著的特点已经得到广泛的应用。但是常规磁控溅射靶表面横向磁场紧紧地束缚带电粒子，使得一镀膜区域的离子密度很低，一定程度上削弱了等离子体膜的优势。通过有意识地增强或削弱其中一个磁极的磁通量。使得磁控溅射靶的磁场不平衡，可以大大提高镀区域的等离子体密度，从而改善镀膜质量，此外还讨论该技术目前的发展状况。