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针对吊箱围堰施工中,混凝土与钢板间的粘结力无详实数据的现象,介绍了确定数据的实验模型、实验步骤,并分析了实验结果,以方便施工,指导施工。 相似文献
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娄仁志陈元杰葛锐白楠 《衡器》2022,(10):5-9
针对目前电子天平检定的数量大而人工检定存在效率低、包含人为误差等问题,本文对电子天平的自动化检定进行了研究,研制出一套电子天平自动检定装置。该装置由AGV小车搭载机械手对电子天平开展检定,机械手上装有定位相机和测距传感器,可以准确定位天平秤盘的位置和尺寸,采用视觉技术读取天平的示数。对两台相同的电子天平分别进行了人工检定和自动检定,最终结果表明,自动检定相对人工检定同样具有较高的准确性,并且能够提高电子天平检定的工作效率,可以替代人工进行检定。 相似文献
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随着信息技术在电力领域的应用,智能变电站已经成为当今社会变电站的主流。相较于传统的变电站,智能变电站具有数字化程度更好,进而使得变电站的管理、运维、检修、调试等跟传统变电站比起来有了很大的不同。继电保护对于智能变电站安全运行,有着很重要的实用价值,本文就智能变电站中间的继电保护的检测和调试相关内容进行说明,以期能为相关工作提供一个参考。 相似文献
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本文提出了超低比导通电阻(Ron,sp) SOI双栅槽型MOSFET(DG Trench MOSFET)。此MOSFET的特点是拥有双栅和一个氧化物槽:氧化物槽位于漂移区,一个槽栅嵌入氧化物槽,另一个槽栅延伸到埋氧层。首先,双栅依靠形成双导电沟道来减小Ron,sp;其次,氧化物槽不仅折叠漂移区,而且调制电场,从而减小元胞尺寸,增大击穿电压。当DG Trench MOSFET的半个元胞尺寸为3μm时,它的击穿电压为93V,Ron,sp为51.8mΩ?mm2。与SOI单栅MOSFET(SG MOSFET)和SOI单栅槽型MOSFET(SG Trench MOSFET)相比,在相同的BV下,DG Trench MOSFET的Ron,sp分别地降低了63.3%和33.8%。 相似文献
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本文提出了一种超低比导通电阻(Ron,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,Ron,sp为0.985mΩ.cm2。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的Ron,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的Ron,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。 相似文献
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