点阴极电场辅助阳极连接中的紧密接触面积和电流

用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应，计算了连接电流，连接孕育期和紧密接触面积，本文结果表明，连接初期电流迅速衰减，随后缓慢变小，直至某一稳定值，孕育期随温度上升指数下降，连接温度高时，孕育期将难以观察到；待连接表面之间紧密接触面积随时间延长而非线性扩展，紧密接触区域增大时，其边界向外推进速度渐小，而接触面积增加渐快。     

阳极连接中碱金属双离子迁移模型􀀂

在假设玻璃中仅有两种可动碱金属离子的情况下，提出了一个金属－玻璃电场辅助阳极连接模型。根据该模型，玻璃中的Na和K耗尽层厚度在演化过程中成比例，它们的演化规律决定于耗尽层边上的负电荷层。数据拟合结果表明，文献[4]中的Na、K耗尽层厚度与连接时间的关系可用时间的对数函数很好地描述。K富集层起因于K^ 离子的中和，Na耗尽导上的负电荷产生的电场引起了实验中测得K^ 离子跃迁激活能与Na^ 离子的激活能几乎相等。阳极连接过程中不存在稳态，总可观测到微小电流，该电流仍源于离子电导。     

Cr1-xAlxN涂层的微结构和抗氧化性能研究

采用磁控反应溅射法制备了一系列不同Al含量的Cr1-xAlxN涂层,通过能谱仪(EDS)测试涂层的成分,X射线衍射仪(XRD)表征涂层的微结构,扫描电镜(SEM)观察涂层的表面形貌,研究了Al含量对涂层的微结构和高温抗氧化性能的影响.结果表明,涂层取CrN的面心立方结构生长,且呈(111)择优取向.随着Al含量增加,涂层的晶格常数减小,涂层的高温抗氧化性能显著提高.Cr0.6356Al0.3644N涂层随着氧化温度的升高,表面的Al含量略为上升,在900℃涂层产生裂纹失效.     

AlN/w-BN纳米多层膜的制备及其显微结构

用射频磁控溅射法在硅基片上制备了AIN、BN单层膜及AIN/BN纳米多层膜,采用X射线衍射仪、傅立叶变换红外光谱仪、小角度X射线反射仪、高分辨率透射电子显微镜和原子力显微镜等对其进行了表征.结果表明:AIN/BN多层膜具有(103)择优取向,并且当AIN层厚固定时,随着BN层厚的增加,(103)择优取向得到强化;AIN单层膜及AIN/BN纳米多层膜均呈岛状生长,多层膜界面粗糙度及表面粗糙度均随着BN层厚的增加而减小;多层膜中BN的结构与BN的层厚有关,当AIN层厚保持在4.0 nm且BN层厚为0.32～0.55 nm时,可获得晶态w-BN,当BN层厚增至0.74 nm时,BN呈非晶态.     

磁控共溅射制备锆-硅-氮复合薄膜的显微组织与性能

通过磁控共溅射方法制备了一系列不同硅含量的锆-硅-氮复合薄膜;采用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和微力学探针等对复合薄膜进行了表征;研究了薄膜中硅、锆原子比对复合薄膜的显微组织、高温抗氧化性能和力学性能的影响。结果表明：随着硅含量的增加,复合薄膜的ZrN（111）、（220）晶面衍射峰逐渐消失,呈现ZrN（200）择优取向;同时其性能逐渐提高,当硅、锆原子比为0．030时可获得最大硬度和最大弹性模量,分别为37．8GPa和363GPa;进一步增加硅含量,复合薄膜向非晶态转化,而薄膜的硬度和弹性模量迅速降低,抗氧化温度显著提高。     

磁控溅射Ti1-xAlxN薄膜的微结构及性能研究

利用磁控反应溅射法制备了不同A1含量的Ti1-xAlxN薄膜.采用能谱仪、X射线衍射仪及纳米显微力学探针分析了薄膜的成分、微结构及薄膜的硬度,研究了Al含量对薄膜的微结构、硬度及高温抗氧化性能的影响.结果表明,薄膜为面心立方结构,呈(111)择优取向;薄膜的硬度及抗氧化性能均随着Al含量增加而提高.     

Ti(C,N)复合膜和TiN/Ti(C,N)多层膜组织和显微硬度

采用非平衡反应磁控溅射的方法在Si(100)基片上沉积Ti(C,N)复合膜和不同调制周期、调制比的TiN/Ti(C,N)纳米多层薄膜。薄膜的微观结构和力学性能采用X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计进行表征。结果表明,Ti(C,N)复合膜的微观结构和力学性能与掺入C的含量有关;TiN/Ti(C,N)纳米多层膜的微观结构和力学性能与调制周期和调制比有关,其显微硬度在一定的调制周期和调制比范围内出现了超硬现象。Ti(C,N)、TiN/Ti(C,N)均为δ-NaCl面心立方结构;Ti(C,N)复合膜显微硬度提高是因为固溶强化,TiN/Ti(C,N)纳米多层膜硬度的提高主要是共格外延生长在界面处产生的交变应力场。     

点阴极电场辅助阳极连接的等效电路法

电场辅助阳极连接技术已成为微电子器件领域最常用的连接方法之一 ,但目前对这一技术的物理和化学机制还不十分清楚 ,有关的研究文章也较少 ,深入理解电场辅助阳极连接过程的机制将有助于完善该技术。为此 ,本文用等效电路的方法研究了点阴极情况下的电场辅助阳极连接效应 ,计算了连接电流、连接孕育期和紧密接触面积。计入了电场辅助连接中玻璃厚度的影响 ,改进了Anthony的结果 ,并得出孕育期表达式。本文结果表明 ,连接初期电流迅速衰减 ,随后缓慢变小 ,直至某一稳定值 ;电场辅助阳极连接过程初始一般都存在一个孕育期 ,孕育期随温度上升指数下降 ,连接温度高时 ,孕育期将难以观察到 ;待连接表面之间紧密接触是实现电场辅助阳极连接的关键 ,紧密接触面积随时间延长而非线性扩展 ,紧密接触区域增大时 ,其边界向外推进速度愈来愈小 ,而接触面积增加渐快 ,最终达到待连接表面间百分之百接触     

红外单色仪仪器函数对光谱线轮廓影响的测定及计算

本文首先分析了仪器函数对红外光谱线轮廓的影响。用He-Ne激光测定了H-25型光栅红外单色仪的仪器函数。并用方差方法扣除仪器函数的半宽度,求出一种汞灯1.04μm谱线的半宽度。最后测定并用电子计算机计算了吡啶(C_5H_5N)的8.7μm (1147.4cm~(-1)吸收谱线的轮廓,求得该谱线的真实线型为洛伦兹分布,其半宽度为6.4×10~2(?)(8.4cm~(-1)。实验表明,该谱线可用作测定中等色散红外光谱仪的仪器函数的一种标准谱线。     

CO_2-4.3μm谱带轮廓的研究

本文在修正的Elsasser谱带模型的基础上,提出了计算CO_2-4.3μm谱带透过率的近似公式,它可适用于其他双原子分子和线形分子的基频吸收谱带的分析与计算,并导出了谱带半宽度与温度之间的定量关系式。实测了CO_2-4.3μm带的吸收光谱,利用快速傅里叶变换技术对测量光谱进行了消卷积处理,以消除仪器函数影响。实验结果与理论计算基本符合。