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1.
概述了近年来天然染料染色过程中媒染剂的研究现状。首先对非铬金属媒染剂、天然媒染剂以及复配媒染剂的研究进行了介绍,其次对这三种媒染剂媒染原理进行了阐述,最后对媒染剂研究趋势进行了展望。  相似文献   
2.
为了确保不进口污染环境的固体废物,针对某冒充铁精粉的进口固体废物,通过外观、成分、物相分析进行了系统的鉴别。确定样品主要为经研磨加工的氧化铁皮,属于禁止进口的固体废物——轧钢产生的氧化皮。  相似文献   
3.
建立了间苯二酚显色测定甲壳素类化合物含量的分光光度法.方法的测定波长为500nm,线性曲线回归方程为Abs=5.435Conc-0.026(R=0.9999),线性范围20~80mg/L-1,与通常的DMAB方法比较,该方法实验周期短,灵敏度高.  相似文献   
4.
薛英超 《给水排水》2006,32(11):62-63
从建筑工程消防审查角度出发,探讨了室外水消防设计和有关说明的必要性,充实水柱的保护范围及消火栓的布置间距设计的误区,自动喷水灭火系统末端试水装置和试水阀处的排水设置,自动喷水灭火系统的设计基本参数应在设计说明中注明,自动喷水灭火系统气压供水设备的设计,高层建筑内无可燃物的设备层是否应设自动喷水等常见问题。针对问题,从消防审查角度提出解决措施。  相似文献   
5.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展   总被引:7,自引:0,他引:7  
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。  相似文献   
6.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。  相似文献   
7.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
8.
主要分析了在施工期影响三峡工程升船机及临时船闸高边坡稳定的因素,并介绍了对高边坡安全进行仪器监测,同时开展现场巡视检查的情况。  相似文献   
9.
10.
徐双喜 《湖北化工》2002,19(4):32-33
介绍用稳定性二氧化氯杀灭涤涤水中的硫酸盐还原菌,并对使用条件进行了试验。  相似文献   
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