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1.
FPGA(field programmable gate array)技术已经成为当今实现电子线路集成化的重要方法之一。通过应用PFGA和单片机技术,设计一种接口电路,用于将CSU和SKC数控系统中DTB总线的井下仪器挂接到高速 遥传系统上,从而大大提高高速电缆遥传系统的兼容性,使其应用范围更广,市场前景更好。 相似文献
2.
采用了外加热式直流等离子体化学气相沉积及渗金属工艺并在放电工件上直接测温的方法,克服了离子轰击加热引起的温度不均匀等因素并且膜的结构及力学性能得以改善。 相似文献
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6.
本文是用JEM-2000EX型电镜,对射频等离子体沉积的TiN薄膜进行具体分析,从而得到TiN的形貌及晶体结构。 相似文献
7.
本文报道中试规模的直流等离子体化学气相沉积氮化钛(PCVDTiN)工艺及设备。设备外形尺寸为φ700×700mm,有效镀膜区为φ450×500mm。在此区域内,温度不均匀性小于20℃,TiN膜厚不均匀性小于15%。对TiN膜的硬度、生长速率、显微组织、晶体结构以及TiN膜的成分进行了研究。经测试及实际应用证明,高速钢麻花钻头用本工艺涂镀TiN膜后,可提高寿命8.3倍。其它刃具、模具、轴承等涂镀TiN后寿命也明显提高。 相似文献
8.
<正> 引言在刀具上沉积TiN、TiC或其复合镀层,可大大提高它们的使用寿命。在硬质合金刀具的国际市场上,带镀层的刀具已占有重要的地位。到目前在止,镀超硬膜的主要方法是化学气相沉积(CVD)。因为它的工艺成熟,适于大批量生产。但这种技术有两个显著的缺点:(1)沉积时温度高,要在1000℃左右,所以只能用于硬质合金刀具上。 相似文献
9.
10.
等离子体化学气相沉积氮化钛 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导中试规模的直流等离子体化学气相沉积氮化钛工艺及设备;对TiN膜的硬度、生长速率、显微组织、晶体结构以及TiN膜的成分进行的研究;经测试及实际应用证明,刃具、模具、轴承等镀TiN后寿命明显提高。 相似文献