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高熵陶瓷薄膜是在高熵合金薄膜中掺入C、N、O等非金属元素形成的碳化物、氮化物、氧化物等性能更优异的薄膜材料。由于高熵陶瓷薄膜具有组分可调节空间大、熵效应独特及材料性能可调控等优点,因此高熵陶瓷薄膜无论是作为结构材料还是功能材料,都有望成为综合多种优异性能的薄膜材料。首先介绍了含有C、N、O等不同非金属元素的高熵陶瓷薄膜的晶体结构,并研究了改变晶体结构的影响因素。除了掺入薄膜中的C、N、O等非金属元素含量会对薄膜的晶体结构产生显著影响外,制备工艺中的工艺参数也会对高熵陶瓷薄膜的晶体结构产生影响。例如,随着基底温度的升高,高熵氮化物薄膜会由非晶结构转变为简单的FCC固溶体结构。另外,基底偏压虽不能直接影响高熵陶瓷薄膜的晶体结构,但对薄膜的择优取向有着显著影响。综述了制备高熵陶瓷薄膜常用的技术,包括磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术、真空电弧沉积等。综述了目前国内外研究者对高熵陶瓷薄膜的功能特性的研究进展,包括抗辐照性、扩散阻挡性、电催化性、磁学性、生物相容性等。最后总结了高熵陶瓷薄膜的应用,并指出了目前研究的不足,以及高熵陶瓷薄膜未来的研究方向。  相似文献   
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