记忆体明日之星系列(三)——同步DRAM架构剖析

发展缘起 CPU的快速发展,内部速度达66MHz的比比皆是,且不断在提升当中,高端的CPU,已达200MHz,而且300MHz的也已上市,这些高端CPU,皆具64位元暂存器与汇流排,数据处理速度达1200MIPS。如图1所示为CPU所需频宽及DRAM记忆     

记忆体明日之星(四) 同步图形RAM

在各种DRAM纷纷涌现的情形下,SGRAM在图形类像性能方面,提供了另一种选择     

电脑绘图晶片的发展趋势与展望

绘图晶片的功能看来,64位元最少配合2M DRAM的架构将成为今年的主流产品。而另一以128位元的绘图晶片为基础的加速卡今年第3季会逐渐成长。     

探微(上)

读取及写入数据至SGRAM均采数据组传输(burst)方式。当可程式化序列里选定的位置(location)及位置中可编程的数目开始存取,系载入“ACTIVE”指令以俾接著的读取(A0-A7)暂存系与读取或写入指令同时进行,用来择定数据组存取時开始的行位置(column)。区块写入(Bolck Write)存取执行的方式近似一般写入动作,只是并不以数据组为传输方式而已,所使用的方法系由A3-A7来选择8行位置。遮蔽写入(Masked Write)或遮蔽区块写入(Masked Block Write)除了每位元写入(Write-per-bit)遮蔽驱动ACTIVE指令使数据写入之外,与未遮蔽方式相似。正常操作下其最优先的工作为SGRAM必须起始(initialization),接着来探讨SGRAM的起始,暂存定义,指令叙述及工作原理。     

Influence of Bi Addition on Pure Sn Solder Joints: Interfacial Reaction,Growth Behavior and Thermal Behavior

The effects of different Bi contents on the properties of Sn solders were studied. The interfacial reaction and growth behavior of intermetallic compounds(IMCs) layer(η-Cu_6 Sn_5 + e-Cu_3 Sn) for various soldering time and the influence of Bi addition on the thermal behavior of Sn-x Bi solder alloys were investigated. The Cu_6 Sn_5 IMC could be observed as long as the molten solder contacted with the Cu substrate. However, with the longer welding time such as 60 and 300 s, the Cu_3 Sn IMC was formed at the interface between Cu_6 Sn_5 and Cu substrate. With the increase of soldering time, the thickness of total IMCs increased, meanwhile, the grain size of Cu_6 Sn_5 also increased. An appropriate amount of Bi element was beneficial for the growth of total IMCs,but excessive Bi(≥ 5 wt%) inhibited the growth of Cu_6 Sn_5 and Cu_3 Sn IMC in Sn-x Bi/Cu microelectronic interconnects. Furthermore, with the Bi contents increasing(Sn-10 Bi solder in this present investigation), some Bi particles accumulated at the interface between Cu_6 Sn_5 layer and the solder.     

手持式电脑的市场发展

微软的WindowsCE为进军非PC产品的世代之作,从第一代应用产品HandheldPC(HPC)问世之後,点燃消费性电子产品的‘WinCE热' ,不但大有一洗PDA卖相不振的前耻,还因为具有多变的应用身段,将来应用产品不可计数!当然,得利渔翁还包括获微软授权的软硬体关键元件厂商,商机无限,端看各家支援能力与策略本领了!     

添加In对SAC305焊料显微组织和性能的影响（英文）

在Sn-3.0Ag-0.5Cu(SAC305)焊料中熔入0.5%～10%(质量分数)的In粉以改变钎料的显微组织，进而改善焊料的性能。实验结果表明：β-Sn(In)、Ag₃(Sn,In)和Cu₆(Sn,In)₅相存在于所有的含In钎料中，在SAC305-10In焊料中发现了InSn₄物相。随着In含量的增加，β-Sn晶粒形核点增加，其形核模型由{101}转变为{301}，从而细化β-Sn晶粒，使得β-Sn的形态由粗大晶粒转变为交错晶粒，最后转变为多晶粒。结果表明，这种β-Sn晶粒形态转变引起细晶强化与固溶强化的联合作用，使得SAC305-xIn焊料的显微硬度随着In添加量的增加而显著升高。