抗中子辐射加固超辐射发光二极管的研究

我们设计并制作了一种高性能的抗中子辐射的超辐射发光二极管。高能中子辐射后产生的位移损伤造成器件有源区内少子寿命减少,从而导致器件光输出功率的降低。通过理论分析可知高输出功率的超辐射发光二极管对中子辐射的敏感度较低。本文中的超辐射发光二极管的有源区采用了具有高量子效率和小体积有源区的InGaAsP/InP多量子阱结构,外延波导层采用了线性缓变折射率分别限制结构(GRIN-SCH),并设计和优化出了特殊波导吸收区和腔面减反射膜结构。辐射实验结果显示,在中子注量为6?10₁₃～1?10₁₄n/cm₂(1MeV)下,InGaAsP/InP多量子阱结构的超辐射发光二极管与双异质结结构相比具有更好的抗中子辐射性能。     

Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究

运用固体经验电子理论(EET)，对Al—Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算。结果表明，沉淀相与基体的界面处能量连续性较差，γ相的表面结合能高于基体的表面结合能，在界面处形成能量势阱。因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子，引起γ相周围Ag原子的贫乏，出现γ相无沉淀带(PFZ)。     

双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.     

Al-Ag合金GP区的价电子结构与界面能

运用固体经验电子理论,对Al-Ag合金GP区η相的价电子结构进行计算,并且在此基础上计算了GP区和基体的界面能。从计算得到的价电子成键的结果中,发现Ag-Ag原子之间的结合倾向最大,表明时效过程中,Ag-Ag原子容易出现偏聚。GP区有较强的共价键络,是Al-Ag合金时效硬化的重要本质原因。从电子成键角度阐明GP区与基体的共格界面能较低,是GP区能够生成长大的重要原因。     

质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响

用能量分别为350keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试.结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前者引起的出光功率的退化更大,造成的辐照损伤更加严重.采用TRIM程序对质子入射到器件材料中的射程分布进行了模拟,初步探讨了SLD在350keV和1MeV能量质子辐照下的损伤效应.     

用于GaN HEMT肖特基参数提取的修正方法

对GaN高电子迁移率器件进行48小时350℃的高温存储实验后,观察到肖特基正向特性的低压段出现凹进现象。我们认为这是二维电子气浓度下降造成的。此时传统的肖特基提取方法不适合,在运用背对背肖特基模型分析其能带变化的基础上提出一种肖特基参数提取的修正方法,并获得很好的拟合效果。     

Al-Zn固溶体价电子结构与Spinodal分解反应

运用固体经验电子理论,采用平均原子模型对Al-Zn固溶体价电子结构进行计算.计算结果表明:Spinodal分解引起合金固溶体的共价键强度发生较大变化,且可以根据各固溶体相的共价键强度的变化对Al-Zn固溶体在室温下发生的Spinodal分解反应所引起的合金硬化以及合金硬度的提高做出合理解释.     

双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.     

质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响

用能量分别为350keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试.结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前者引起的出光功率的退化更大,造成的辐照损伤更加严重.采用TRIM程序对质子入射到器件材料中的射程分布进行了模拟,初步探讨了SLD在350keV和1MeV能量质子辐照下的损伤效应.     

双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究

采用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2得到的混合膜层,折射率不仅可调,而且比Si膜要高.用原子力显微镜(AFM)分别对单纯镀的Si膜与双源电子束蒸发镀的Si/SiO2混合膜层的表面形貌进行了观测,结果表明,前者表面疏松,有明显的孔洞结构;后者膜层表面细密.采用双源蒸发的成膜理论,对该方法提高膜层致密性的原因进行了探讨.