一种定量分析多孔材料孔隙结构的新方法

在普通个人计算机系统上 ,利用图形处理软件 Image J,并运用体视学原理 ,以多孔焦炭作为研究对象 ,开发了一套研究多孔材料孔隙结构的新方法 .在定量获得包括孔隙率和孔径大小等多种气孔参数的同时 ,基于体视学原理 ,还计算了其他可能与焦炭物理性质 (如强度 )建立相关性的重要参数 ,如圆度和粗糙度等 ,为研究多孔材料的物理性质提供了一定的理论依据 .只运用廉价的分析处理设备和应用软件而进行客观性强且效率高的图像分析处理 ,是本新方法的最大特点 .     

硅材料除硼处理

对金属硅进行除硼处理,以解决定向凝固提纯硅对分凝系数大的硼的分离效果不明显难题。高温条件下向经过酸处理的硅粉通入蒸汽,硼经扩散与蒸汽反应。通过实验确定了硅粉粒径、反应温度和反应时间与除硼效果的关系。     

面向大材料致力人才培养综合改革

华东理工大学材料学院作为教育部“面向21世纪教学体系和内容改革项目”的主持单位,自从1995年开始联合申报,1996年正式立项,与四川大学(牵头单位)等院校既分工又合作,积极主动地开展了此项工作。一、确立教改总体思想 随着计划经济体制改革,社会主义市场经济的形成,人才市场逐步建立,我国高等教育面临了一系列问题,培养什么样的人才成了关键问题。经过对21世纪经济和高新技术发展以及国际著名大学教学改革的调研,确立了材料类学科“拓宽专业面,面向大材料,以中材料办专业,加强基础,重视外语、计算机学习,增加人文、经济、管理类知识;加强实践能力、创新能力、适应能力的培养,营造大学创新能力和人文素质培养的氛围”等总体改革思路。并依此制定了人才培养计划,精心设计课程体系和课程设置,改革实验和工程实践。     

PMMA/PAN核壳复合粒子的制备与表征

用无皂乳液聚合法制备粒径分布较窄的单分散聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)乳液粒子后,以此乳液粒子为种子,以丙烯腈为壳层单体,用种子乳液聚合法制备了粒径分布更窄、具有核壳结构形态的PMMA／聚丙烯腈(PAN)复合粒子,测定了核及核壳粒子粒径及其分布,并用透射电镜表征了其核壳形态特征。结果表明,PMMA／PAN核壳粒子的壳层厚度约为20nm,粒径分布要比PMMA粒子的窄。     

ZnO-B2O3-SiO2系统低介陶瓷的烧结工艺研究

通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响.结果表明:该陶瓷系统致密化过程主要发生在900～1050℃之间,采用最高烧结温度1050℃,保温时间为60min,快速冷却(-20℃/min)的工艺烧成的陶瓷,致密性好,晶粒分布均匀且粒径大小适中,具有良好的介电性能(εr=4.75,tgσ=0.001,1MHz).     

专业实验、实践环节改革的实践

实验、实践环节是培养学生动手能力、创新能力、分析问题和解决实际问题能力的主要环节。这一环节使得学生所学的理论知识与实际相结合,得到课堂上难以学到的知识,在实践中有所发现、有所创造。 华东理工大学在进行材料类专业“面向21世纪教学体系和内容改革项目”的过程中,重视了实践、实验环节的改革,进行了比较大的调整,见表一,并予以实践,取得了一定的成效,见表二。     

MgO-Al2O3-SiO2系硬盘基板用微晶玻璃析晶动力学研究

MgO-A l2O3-SiO2系微晶玻璃是一种优良的磁盘基板备选材料,该材料具有良好的力学性能,能够满足高性能硬盘基板用材料的要求。采用差热分析方法(DTA),得到了以TiO2作为晶核剂的MgO-A l2O3-SiO2系微晶玻璃的析晶动力学参数,研究了该体系微晶玻璃的析晶动力学;利用X射线衍射技术(XRD)确定了经合适热处理后得到的样品的主晶相。结果表明:引入TiO2降低了该体系玻璃的析晶活化能Ea,当TiO2质量分数达到7%时,Ea达到最小值,玻璃析晶晶化指数n达到最大值,这表明TiO2在一定范围内促进了该系统玻璃的析晶。     

玻璃色釉用低熔点玻璃的研究进展

介绍了目前国内外玻璃色釉的发展状况,指出了含铅镉色釉的危害,发展无铅镉水溶性环保型玻璃色釉是当今社会的要求。同时详细介绍了釉用低熔点玻璃分类及各种性能,并指出其各自存在的缺点,综合分析了玻璃釉用低熔点玻璃的发展方向。     

材料类专业教育教学改革的试点和实践

本文是在"九五"期间原国家教委面向21世纪材料类专业人才培养和教学内容体系改革项目提出以大材料为目标,以中材料办专业,设立材料类专业专业基础课设想的基础上,进行探索和实践的总结.优化的教学计划做到了材料类各专业有相同的公共基础课、基础课和技术基础课,在专业课上体现不同专业特点.近3年来出版教材、专著十余本,毕业生一次就业率在96%以上,考研录取率达30～40%,最高达43.2%.     

ZnO-B203-SiO2系统低介陶瓷的烧结工艺研究

通过热分析确定基本的的烧结温度制度，并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结，通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析，探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响。结果表明：该陶瓷系统致密化过程主要发生在900～1050℃之间，采用最高烧结温度1050℃，保温时间为60min．快速冷却（-20℃／min）的工艺烧成的陶瓷，致密性好，晶粒分布均匀且粒径大小适中，具有良好的介电性能（εr=4．75，tgσ=9．001，1MHz）。