全文获取类型
收费全文 | 217篇 |
免费 | 31篇 |
国内免费 | 222篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 69篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 1篇 |
机械仪表 | 2篇 |
建筑科学 | 1篇 |
矿业工程 | 1篇 |
轻工业 | 1篇 |
无线电 | 372篇 |
一般工业技术 | 12篇 |
自动化技术 | 9篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 1篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 29篇 |
2008年 | 24篇 |
2007年 | 32篇 |
2006年 | 38篇 |
2005年 | 55篇 |
2004年 | 37篇 |
2003年 | 23篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 49篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 13篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有470条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型,并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程,给出了IC功能成品率模拟器XD-YES的实现。用XD-YES对微电子测试图和实际IC的功能成品率模拟和分析表明,其结果与实际符合很好,从而表明XD-YES的可行性和实用性。 相似文献
5.
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向. 相似文献
6.
现有成品率及关键面积估计模型中。假定缺陷轮廓为圆。而70%的实际缺陷轮廓接近于椭圆.提出了椭圆缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比更具有一般性.而圆模型轮廓的成品率模型仅为新模型的特例.比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失。表明新模型在成品率估计方面更加精确. 相似文献
7.
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化.对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析.确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃.退火时间为5min.该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8.9%.肖特基栅反向漏电流减小2个数量级.阈值电压绝对值减小.退火后肖特基势垒高度提高.在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用.这是饱和电流和阈值电压变化的主要原因.采用扫描电子显微镜观察肖特基退火后的形貌,500℃未发现明显变化.600℃有起泡现象. 相似文献
8.
9.
10.
基于LDO限流技术的辐射闩锁防护技术 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了CMOS器件受辐射感生的闩锁与电气感生的闩锁的异同点,研究并提出了一种基于限流型低压降线性调整器的闩锁防护方法,给出了卫星用线性调整器电路的地面总剂量摸底试验数据及空间飞行试验验证结果和解决星载计算机的闩锁防护与恢复问题的有效方法. 相似文献