ZnO-Al_2O_3-SiO_2系统微晶玻璃的研究

作者利用二液分相的原理,在研究了ZnO-Al_2O_3-SiO_2系统玻璃析晶条件的基础上,用添加B_2O_3的方法成功地制得了微晶玻璃,获得了一个具有实用价值的№6307微晶玻璃组成。研究了形成玻璃和微晶化的工艺制度,并讨论了B_2O_3对玻璃分相和微晶化的作用。     

非晶态硒砷静电复印材料的光致疲劳机理

本工作通过硒基静电复印感光材料的静电电位谱的测定,研究了非晶态As_xSe_(100-x)(0相似文献   

Li_2O-Al_2O_3-SiO_2系统微晶玻璃晶相的研究

本文研究了Li_2O-Al_2O_3-SiO_2系统微晶玻璃的晶相,借以获得新型微晶材料。取自鳞石英、偏硅酸锂、二硅酸锂和锂辉石4个相区的玻璃成分,经过熔制、析晶,并用X-射线衍射方法鉴定了析出的晶相。由于相图中的原始相往往在微晶玻璃中并不出现,因此作者探讨了析晶过程中晶相转变情况,试图找出析晶介质和晶相结构间的联系。最后作者提出了微不均区域的模型,描述了本系统微晶玻璃在晶化以前的结构。     

As—Te硫系膜的光学性质及其热致变化

利用真空射频溅射法制得了非晶态As-Te硫系薄膜。借助于XRD法研究了该系统薄膜的热致析晶,并与相应的块状样品作了比较。薄膜在热处理前后的光学折射率和消光系数分别进行了测定,分析了它们与薄膜组成、结构以及析出晶相的关系。另外还对薄膜随温度的变化过程进行了研究,指出了造成反射率发生变化的主要原因以及它们所对应的温度区域,对该系统薄膜在光盘方面的应用作了预言。     

硒基非晶半导体的组成与光隙

一、前言硒基非晶态半导体已成功地用于静电复印,目前国外复印速度已达100张/分以上,对材料的性能也提出了新的要求。通常复印质量是由材料的充电电位、光敏性、残余电位等参数来决定的,其中光敏性是决定复印速度的关键。要提高光敏性,一般可有下列几种方法:(1)加入微量杂质,如卤素等填补空穴陷阱,延长载流子寿命,     

砷碲玻璃的析晶研究及其结构探讨

借助于各种热处理技术、DSC和XRD方法,研究了砷碲系玻璃的析晶过程。实验结果表明:砷蹄系统的玻璃转业点T_e和初始析晶温度T_(er)随砷浓度增加而升高,而析晶速率则减慢;在较低温度(T≥T_3)或析晶初期,得到的晶相基本上均为具有NaCl型结构的亚稳态晶体AsTe,而在高温或析品末期,得列的均为相图平衡相晶体。本文在实验基础上,提出一个新的砷碲玻璃的结构模型。认为砷碲玻璃的结构网络是由砷碲原子比相等的结构基团或局域单元联缀而成。它们基本上是类似于As_4S_4的As_4Te4结构或其它的复合形式。余下的砷或碲分布在其间并把它们相互连接起来。     

Te-Ge系统玻璃半导体组成与析晶行为的依赖关系

本文提出了Te-Ge系统玻璃半导体析晶行为的实验结果。应用示差扫描量热法研究了析晶行为,以X射线衍射分析法鉴定了其中的晶体。根据实验数据,得知当玻璃组成中Ge含量增加时,玻璃的转变温度和析晶温度逐渐增加,而析晶活化能随着玻璃组成和析晶种类而有所变化。 文中对Ge在析晶行为中的作用,进行了讨论。     

非晶态半导体 As_(24)Se_(76)、As_(40)Se_(60)和 As_(50)Se_(50)的光量子效率研究

光量子效率是非晶态光电导材料的一个重要参数。本文利用静电放电的方法,探讨和研究了 As—Se 系统非晶态半导体材料的光量子效率与电场和组份的关系,得出的结果与 Onsager 理论描述的相一致。由分析而得到了等剂量组份、富 As 和富 Se 系统光量子效率的变化趋势。     

少量添加剂对碲基非晶态薄膜热析晶行为的影响

研究了添加剂Sb和Bi(或Ge)对提高Te_(81)Ge_(15)S_2Sb_2薄膜存贮器可靠性的作用。利用差示扫描量热计(DSO)、X射线衍射、透射电子显微镜(TEM)和电子衍射(TED)等方法,鉴定了五种碲基存贮玻璃薄膜中热作用产生的结晶产物。结果表明,添加剂Sb和Bi(或Ge)的存在对热析晶行为有很大的影响。