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高能脉冲电源及其在铸造中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍自行研制的一款电压在1~3 kV、最大峰值电流可达1.7MA的脉冲发生装置--XJDMC型高能脉冲电源。电源的电压、输出能量可以调节,能够对充电电压、储能电容、充放电时间进行设置。研究了电压在1、2 kV,电流脉冲峰值为1.7MA时对Al-4wt%Cu合金铸造组织的影响。分析了Al-4wt%Cu合金组织的晶粒尺寸和脉冲电流、电压、冲击频率以及电路自振荡频率之间的相关性。结果表明:脉冲电压2kV、电容的冲击频率为0.5 Hz、电路的振荡频率为50 Hz时,脉冲电流对Al-4wt%Cu合金作用后,晶粒尺寸由1.5mm减小到0.2 mm。在合金凝固过程中施加脉冲电流能够有效细化晶粒尺寸,提高合金的力学性能。 相似文献
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低电压调频接收器MC3367的原理及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
MC3367是一种高性价比的调频接收器,由于它具有功耗低、灵敏度高、可电池供电等特点,所以在音响、电视和通讯系统中颇受青睐.本文在介绍该芯片的特点和原理的基础上,重点给出了利用MC3367设计的调频接收机的实际电路及外围元件的参数选择. 相似文献
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1概述AN80LXXRMS系列产品是日本松下公司生产的带有复位功能的正极输出电压调节器集成电路。它的输出电流为0.15A ,具有20个可供选择的输出电压 ,分别为 :1.8V、1.9V、2.0V、2.1V、2.2V、2.5V、2.8V、2.9V、3.0V、3.1V、3.2V、3.3V、3.4V、3.5V、3.6V、4.8V、4.9V、5.0V、5.1V和5.2V。AN80LXXRMS系列集成电路采用小型表面装贴5脚塑料封装。体积小 ,重量轻。特别适合于小型便携式设备和各种仪器仪表的电源系统。AN80LX… 相似文献
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采用先恒流、后恒压的微弧氧化方法,在铝锂合金(添加微量稀土元素Ce)表面制备陶瓷化膜层.研究了氧化时间和脉冲频率对膜层生长过程和表面形貌的影响.结果表明:膜层厚度随着反应时间的延长而增加,在更高频率的高能脉冲作用下(>600 Hz)生长速率更快;膜层表面多孔、起伏不平,延长反应时间或提高脉冲频率会导致烧蚀留下的坑洞变大,表面粗糙度亦随之增大;膜层与基体结合良好,由内部致密层和外部疏松层组成,总厚度可达50 μm;EDS分析表明,膜层由Al、O、Si构成,Si元素的摄入认为是NaOH-Na2SiO3电解液体系中的SiO32-参与反应进入膜层. 相似文献
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对比研究硼砂细化变质剂(Na2B4O7)、晶粒细化剂(Al-5%Ti)+钠盐变质剂(NaF(2/3)+NaCI(1/3))混合剂和高密度脉冲电流的复合作用对ZL102铝硅舍金铸件凝固组织的影响,并测试了4种工艺条件下浇注拉伸试样的力学性能。这4种工艺条件分别为:在合金液熔炼过程中,除了加脱氧剂外不做任何处理;凝固过程中单独施加高密度电脉冲;添加晶粒细化剂和钠盐变质剂混合剂,或者添加硼砂变质细化剂,并施加高密度电脉冲。研究结果表明:脉冲电流对铝硅合金中的口相细化效果显著,对共晶硅起到一定的变质作用;无水硼砂细化变质剂与脉冲电流的复合变质处理,对共晶硅片具有粗化作用;晶粒细化剂、钠盐变质剂混合剂与脉冲电流的复合作用使a相枝晶长度及其枝晶间距减小,共晶硅片细密,与原始试件相比较伸长率提高了77.1%,抗拉强度提高了36.7%。 相似文献
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TEC9952是深圳天潼微电子有限公司生产的可编程四位定时器电路。它采用32768Hz石英晶振,有7种可编程时基选择和BCD码输出,并可扩展成带LED的显示系统。文中详细介绍了该电路的工作原理,并给出了详细的应用电路。 相似文献
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对0Cr15Ni7Mo2Al不锈钢在铣削加工中的加工硬化深度和显微硬度进行了研究,试验采用斜切法测试加工后的0Cr15Ni7Mo2Al不锈钢表层加工硬化深度和显微硬度.研究结果表明,铣削速度对硬化层的影响最大,其次是每齿进给量,而切削深度对0Cr15Ni7Mo2Al不锈钢硬化层的影响则不太显著,最后给出了避开加工硬化的铣削参数:铣削速度为30~50 m/min,每齿进给量为0.03 m/z,切削深度为3~5 mm. 相似文献
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1概述 FSTU32160是Fairchild(仙童)公司最新推出的16位到32位的高速多路复用器/信号选择器总线开关。该开关的输入输出阻抗极低,且与CMOS和TTL电平兼容,使用FSTU32160总线开关不会增加输入到输出之间的信号延迟,也不会出现回波噪声。FSTU32160总线开关特别适用于两条总线需要同时寻址的应用场合。利用FSTU32160的A输入端口可以将输入信号传递给输出端的B1或者B2端口,也可以让输入信号通过FSTU32160总线开关从B1和B2端口同时输出,该器件的UHCTM保护功能可以在输入电压发生"负脉冲瞬变"时,在器件的输出端维持一段时间的延迟输出,其延迟输出电压将保持在对地2V的水平。 相似文献