氘致纯Pd开裂机理

本文在光学显微镜和透射电镜下观察到退火态纯Pd经290h电化学充氘后,位错密度从充氘前的10~8/cm~2增加至10~(12)/cm~2以上,并产生许多类似气泡的空洞组织或裂纹。分析认为形成空洞或裂纹的原因是由于氘原子沿位错周围富集,D-D原子间重新复合成D_2分子所致,X射线衍射表明,充氘290h后,Pd晶体的点阵常数从0.3890增大到0.4034nm。     

钯晶体中氘的表观扩散系数与晶格扩散系数

利用电化学氘渗透方法,测定了室温附近氘在钯晶体中的表观扩散系数和晶格扩散系数。在理论分析的基础上,计算出钯晶体中氘与陷阱的平均结合能和氘陷阱密度与点阵间隙位置密度之比     

In对Pd氢化的影响

本文使用超微高压天平装置，在压力为０．００１－３．５ＭＰａ，温度为３８１－６２１Ｋ范围内测得纯Ｐｄ和４种成分Ｐｄ－Ｉｎ合金的吸放氢等温线。结果表明：价电子浓度低于０．５，晶格膨胀占主导作用，氢的溶解度随Ｉｎ含量增加而升高；价电子浓度高于０．５，费米能升高占主导作用，氢溶解度随Ｉｎ含量增加而降低。这同对Ｐｄ－Ａｇ，Ｐｄ－Ｓｎ合金中Ａｇ，Ｓｎ的作用解释相似，即它们在合金中对氢的溶解度确有上述两种相反的影响。     

多方开拓应用,发展贮氢合金——浙江大学开发研究贮氢合金的经验总结

本文系浙江大学自1978年以来对贮氢合金研究开发的总结,由于开拓了在氢的超纯净化、氢压缩,热泵和氢化物电极等多方面应用,贮氢合金的研究得到迅速发展。