用于锑化铟电荷注入探测列阵的金属薄膜的制备和厚度控制

本文简单叙述了锑化铟(InSb)电荷注入(CID)探测列阵的基本原理和工艺条件,并给出了实验结果。介绍了一种新颖的、与常规不同的铬膜淀积工艺,使用了控制厚度的监控探针和改善薄膜厚度均匀性的双源。厚度可控制在60～100,这个技术可提供满足器件制作要求的金属膜,达到了预期的目的。     

有机电致发光数码显示器件的初步研究

用改进的电子束蒸发系统制作了结构为ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／ＴＰＤ／Ａ１ｑ３／ＭｇＡｇ的有机ＥＬ数码显示器件,并对器件进行了实用化封装,测量了器件的Ｂ－Ｖ曲线和电致发光光谱。研究了使用直汉方式和交流方式驱动下器件的性能,证明了使用交流方式驱动的有机电致发光器件较直流昔使用寿命得以大大提高。     

4×4掺铟硅CID阵列的研制

本文介绍了非本征硅红外探测器工作机理,叙述了4×4面阵探测器的设计和研制中的要点,给出了4×4掺铟硅CID阵列的部分性能参数。在79K温度下,探测元的D值为(1～4)×108cm~(1/2)W~(-1)。     

一种封闭式微调镗排的设计

介绍了一种封闭式微调镗排,该装置可以微调镗刀刀尖与镗杆轴心线之间的距离。该微调机构由蜗轮蜗杆机构与斜楔机构组成,采用斜装镗刀和封闭结构,微调精度高,调整时读数容易,定位夹紧可靠,结构紧凑,接触刚度高,加工稳定性好,精度保持性好,使用寿命长。     

基于主成分及灰色关联度分析的5083铝合金FSW接头工艺参数优化

针对铝合金搅拌摩擦焊接工艺参数优化问题，对5083铝合金板材进行研究，开展其在不同搅拌摩擦焊工艺参数下的力学性能探索，运用主成分分析和灰色关联度分析法对试验结果进行探索，得出焊接接头最优工艺参数，并建立基于GRG的工艺参数二阶预测模型.结果表明，均值极差法得出最优工艺参数组合为转速1 400 r/min，焊接速度1 mm/s，下压量0.3 mm，接头抗拉强度最大达到225.5 MPa，达到了母材的95.4%，失效位移为10.6 mm.在试验工艺参数范围内，影响接头抗拉强度的主要因素次序为下压量、焊接速度、转速；模型预测值与计算值无显著差异，回归模型与试验数据的吻合度好，说明预测模型可靠度高，此回归模型可作为其预测模型.