液封直拉半绝缘GaAs中的碳

用高压液封原位合成直拉法生长的半绝缘GaAs单晶是直接离子注入制造场效应晶体管或高速集成电路的理想材料。在单晶生长和器件或电路的制做过程中人们发现，杂质碳在半绝缘GaAs中具有不容忽视的重要地位。它不仅是导致材料呈半绝缘状态的关键杂质，而且岔碳量的多少对晶体质量、器件或电路制做的成败都起着决定性的作用。     

半连续浇铸铝合金锭中Ti,Zr的偏析问题

本文以合金ＢＪ－３８０为对象对半连续铸造铝合金中的Ｔｉ,Ｚｒ的偏析现象进行了分析探讨,重点讨论了影响Ｔｉ,Ｚｒ在铸锭径向上分布的因素。指出在通常情况下,浇注液流对液穴的扰动搅拌对Ｔｉ,Ｚｒ在径向上的偏析起着重要作用。     

GaAs激光窗口与透镜材料的制备原理和方法

目前,激光技术已广泛应用于医疗、测量、工业、军事和高科技等领域。在各种类型的激光器中,高功率CO2激光器在我国工业加工中例如:热处理、切割、焊接、表面合金化与涂敷等行业应用得已十分普遍。对于激光器和激光加工机来说,窗口和透镜则是十分关键的部件。从某种意义上讲,没有窗口就不会产生激光,没有透镜就无法进行激光加工。在有限的几种适合制作窗口和透镜的材料中,由于GaAs具有较好的综合性能因而受到人们的重视。本文仅对GaAs激光窗口及透镜材料的制备原理和方法做一简单介绍。     

化学还原银粉中的基本物理化学计算

本文通过基本的物理化学计算得到了化学还原Ａｇ粉过程中有关物质的ψ－ｐＨ关系数据。并通过计算对Ｃｕ＾２＋的还原及水解条件进行了估计，这些计算结果为化学还原分离Ａｇ－Ｃｕ以及Ａｇ粉提纯条件的控制提供了理论依据。