基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征

通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点.采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型.     

硅基太阳能电池专利技术现状及其发展趋势综述

本文从探究专利分布和布局的角度出发,选择硅基太阳能电池作为主题,通过标准的检索方式,使用关键词并结合国际专利分类号,对中国专利检索数据库中的中国发明专利申请进行了全面的检索,得到相关的发明专利申请,对上述数据进行细致的手工筛选分类,并作了深入的研究分析,揭示了我国硅基太阳能电池领域内发明专利申请的当前状况和未来的发展趋势.     

CMOS图像传感器专利分析——针对申请人以及目标国的分析

随着集成电路设计技术和工艺水平的进步,CMOS图像传感器已逐渐占据了主导地位.针对CMOS图像传感器技术领域的专利文献,分析了该领域主要申请人以及目标国的分布情况,使得申请人能够清楚了解该技术领域的专利状况.     

2-(α-羟烷基)-苯并咪唑衍生物的合成

经还原、缩合两步反应以4-甲基-2-硝基苯胺为初始原料,在50℃条件下与Raney Ni(活性Ni)反应得到咖啡色粉末状对甲基邻苯二胺固体。然后将对甲基邻苯二胺在回流状态下与乙醇酸反应得到墨绿色溶液,经处理后得到的灰白色固体脱色并且干燥后得到白色粉末状的6-甲基-2-(α-羟烷基)-1H-苯并咪唑。以及对甲基邻苯二胺在回流状态下与柠檬酸反应得到草绿色黏稠液体,经处理后得到的绿色泥状固体重结晶后得到黄色粉末状的1,2,3-三(5-甲基-1H-苯并咪唑-2-)-2-丙醇等4种2-(α-羟烷基)-苯并咪唑衍生物。其中有三种为新化合物。所有化合物均经熔点、IR、1HNMR或13CNMR结构确认。     

煤中CH4扩散影响因素的分子动力学分析

为从微观角度分析煤中甲烷扩散影响因素,以孙家湾、大同、双鸭山3种煤样为研究对象,基于XRD衍射试验结果,构建3种煤大分子结构模型,采用分子动力学模拟方法,研究压力、温度、CO₂、H₂O对CH₄分子在煤中扩散的影响,揭示了不同影响因素下煤中CH4扩散系数变化规律。研究结果表明:压力增加,CH4分子在3种煤中扩散系数先减小后趋于稳定,当压力增大到一定值后孙家湾、大同、双鸭山3种煤中CH4分子扩散系数将分别稳定于1.084×10^-8、0.770×10^-8、1.137×10^-8m²/s;相同压力条件下,3种煤中CH4分子扩散速率由大到小顺序为双鸭山煤、孙家湾煤、大同煤。温度升高,CH4分子在3种煤中的均方位移均增大,有利于其扩散,不利于其吸附;温度变化对CH4分子在3种煤中扩散速率影响程度由大到小为孙家湾煤、双鸭山煤、大同煤。在一定范围内,水体积分数增加对CH4分子扩散具有阻碍作用,含水饱和度增加对孙家湾与大同煤中CH4分子扩散速率影响较大,对双鸭山煤中CH4分子扩散速率影响较小,注水采气法对孙家湾煤矿与大同煤矿更有效。随CO₂体积分数增加,CH4分子扩散系数减小。CO₂对煤中CH4分子扩散抑制作用由强到弱为大同煤、孙家湾煤、双鸭山煤。与H₂O相比,CO₂对CH4分子在煤层中的扩散抑制作用更强,从分子动力学扩散系数角度表明煤层注CO₂采气法更有效。