关于数字卫星广播电视信号监测方法的分析

广播电视有效结合了数字系统与卫星信号,进而为广大用户提供了高质量的广播电视节目。随着广播电视的发展,相应的广播电视信号监测也得到了广泛的关注与研究,主要是由于信号监测直接关系着电视的质量,因此,文章将对数字卫星广播电视信号监测方法进行分析,旨在提高信号监测的能力,保证信号运行的可靠性与安全性。     

最佳鳃片倾斜角下分离鳃内部流场的数值模拟

采用均匀试验设计理论对鳃片倾斜角α与β进行数值模拟方案的设计,通过采用Fluent软件中的欧拉模型,以鳃片3上表面的泥沙速度作为考核指标,对不同鳃片倾斜角下的分离鳃速度流场进行模拟。运用投影寻踪回归分析法(PPR)对数值计算结果进行了分析,得出鳃片β倾斜角对分离鳃水沙分离效果影响是最大的,其次是鳃片α倾斜角的影响;当鳃片倾斜角的组合为α=60°与β=45°时,分离鳃中的速度流场有利于水沙的快速分离且水沙分离效果最佳。     

干旱区滴灌核桃树根系空间分布特性研究

为了研究核桃树根系空间分布特性,本文使用分层分段挖掘法对干旱区滴灌方式下核桃树根系总根长、根重、有效吸收根根长的空间分布规律进行了研究。研究表明：核桃树根系总根长水平方向主要分布在0～120cm处,占其总分布的90．84％;垂直方向主要分布在0～90cm处,占其总分布的78．75％。根重水平方向主要分布在0～30cm处,占其总分布的52．49％;垂直方向主要分布在15～75em处,占其总分布的61．12％。有效吸水根根长在水平距离60cm和垂直深度60cm处为分布密集区。在距离树干水平距离60cm和垂直深度60cm附近的根区,应作为核桃树水肥管理的重点区域。     

多用户干扰抑制超宽带正交脉冲序列设计

针对超宽带（U1tra—WideBand,UwB）多用户干扰问题,正交脉冲的产生是超宽带无线应用中关键技术。采用Rayleigh信号作为UWB基函数,使用Hermite矩阵特征向量分解方法,设计了UWB正交脉冲序列,从而达到抑制多用户干扰的目的。该方法产生的正交成形脉冲序列功率谱符合美国联邦通信委员会频谱规范,自相关性强,互相关性弱,利于多址检测。最后,分析了跳时脉位调制UwB系统的干扰抑制性能,仿真结果表明正交成形脉冲序列抗多用户干扰能力优于Gram—Schmidt过程得到的Seholtz正交脉冲序列。     

基于USB总线的多道脉冲幅度分析器设计

通用串行总线(USB)作为一种新型微机总线规范，具有便捷易用、传输速率快、低干扰等特点，非常适合作为现代智能仪器的通信接口。章对USB技术应用于多道脉冲幅度分析器的可行性进行了分析，并重点介绍了它的设计方法，包括硬件设计、设备固件设计、设备驱动程序设计以及应用程序设计。     

MODBUS通信协议在现场水泥成分X荧光分析仪中的应用

首先对MODBUS通信协议进行了简单介绍，然后讨论了采用MODBUS通信协议的水泥成分X荧光分析仪是如何实现与水泥生产自动化总控制系统之间的数据传输的，由此达到控制水泥配料系统自动配料的目的。并给出了Visual C^ 下实现通讯的方法。     

数字电视地面移动接收机的设计与实现

随着广播电视技术及数字技术的发展,数字电视产生并得到了良好的推广。地面广播数字电视具有非常多的特点,其中一个最为显著地特点就是在接受数字信息服务时,无论是处于无线的情况下,还是处于移动的情况下,接受都比较稳定,而且质量非常高,这样一来,数据广播业务的内容及服务方式都得到了更为广泛的扩展。在数字电视系统中,可靠稳定地接受信号是关键问题,基于此,数字电视地面移动接收机被提出,文章对接收机的设计与实现进行了研究。     

热处理对选区激光熔化Ti55531合金多孔材料力学性能的影响

通过XRD、OM、SEM和压缩实验等方法,研究了热处理对选区激光熔化制备Ti-5Al-5Mo-5V-3Cr-1Zr(Ti55531)合金多孔材料组织和力学性能的影响。结果表明,在750～900℃之间进行固溶处理随后于500～600℃之间进行时效处理,Ti55531合金多孔材料的孔梁组织由α相和β相组成。随着固溶温度升高,孔梁中初生α相含量减少,次生α相含量增加,孔梁母材抗压强度升高但塑性降低,造成其韧性变差。随着时效温度的升高,孔梁中初生α相形状、尺寸和含量无明显变化,次生α相的含量减少而尺寸增加,孔梁母材抗压强度降低,塑性增加,使其韧性提高。Ti55531合金多孔材料抗压强度与其孔梁母材韧性密切相关,通过热处理调节孔梁母材强度和塑性匹配,提高其韧性,能够有效改善多孔材料的压缩强度。     

钛合金β晶粒生长规律及晶粒尺寸对损伤容限性能的影响

分别对α+β两相区及β单相区锻造的TC4合金在相变点以上温度保温,然后对不同温度条件下原始β晶粒尺寸进行统计,并测试了几种不同晶粒尺寸下的疲劳裂纹扩展速率及断裂韧性.晶粒尺寸统计结果显示:原始β晶粒尺寸不仅与热处理温度和时间有关,也与锻造工艺有关.原始β晶粒尺寸与保温时问呈指数关系;在1 h条件下原始β晶粒尺寸并不总是随温度的升高一直增大,在某个温度范围内有一极值;锻造工艺不同,原始β晶粒尺寸波动也不同.从晶粒生长的热力学及动力学两方面对上述现象进行了分析.力学性能结果显示晶粒尺寸对裂纹扩展速率及断裂韧性均有影响,并对影响机理进行了分析.     

非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究

为了获得低噪声铟镓砷（InGaAs）焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs（u-InGaAs）吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In_0.53Ga_0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(SCM)对Zn在材料中的扩散过程进行了研究,结果表明,随着扩散温度和时间增加,p-n结结深显著增加,u-InGaAs吸收层材料的扩散界面相比较高吸收层浓度材料（5×1016 cm?3）趋于缓变。根据实验结果计算了530 ℃下Zn在InP中的扩散系数为1.27×10?12 cm2/s。采用微波光电导衰退法(μ-PCD)提取了InGaAs吸收层的少子寿命为5.2 μs。采用激光诱导电流技术(LBIC)研究了室温下u-InGaAs吸收层器件的光响应分布,结果表明:有效光敏面积显著增大,对实验数据的拟合求出了少子扩散长度L_D为63 μm,与理论计算基本一致。采用u-InGaAs吸收层研制的器件在室温(296 K)下暗电流密度为7.9 nA/cm2,变温测试得到激活能E_a为0.66 eV,通过拟合器件的暗电流成分,得到器件的吸收层少子寿命τ_p约为5.11 μs,与微波光电导衰退法测得的少子寿命基本一致。