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气凝胶薄膜具有超低的介电常数,在超大规模集成电路互连系统中有着巨大的应用潜力.采用溶胶-凝胶技术,通过酸/碱二步法控制实验条件,结合低表面张力溶剂替换以及CH3非活性基团置换修饰、超声振荡等,不需要超临界干燥,而仅在常压下就可以通过简单的提拉过程制备出疏水型低介电常数气凝胶薄膜.测得的红外透射光谱表明所制备的薄膜由于掺入甲基基团而疏水,接触角测试值约120°,制备过程中充分注意到稀释、老化、有机修饰表面、热处理和提拉条件对膜的影响,使其过程达到最佳.热处理温度在150～650℃,采用6%三甲基氯硅烷时,制得的疏水型气凝胶薄膜折射率为1.08～1.12,介电常数为1.62～1.92. 相似文献
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采用溶胶-凝胶技术、蒸发诱导自组装法,通过酸/酸二步法控制实验条件,实验中采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为模板剂,正硅酸乙酯为硅源、罗丹明B、以及二次去离子水,盐酸为催化剂等原料制备前驱体溶胶.通过简单提拉迅速蒸发溶剂制备介孔薄膜,对介孔薄膜进行了X射线衍射、透射电子显微镜表征,观察了薄膜样品的吸收光谱和荧光光谱.含罗丹明B膜的吸收光谱表明主峰是RhB单体的吸收和微弱吸收的次峰是RhB形成的二聚体的吸收.而在荧光光谱中只有一个发射谱带,这是RhB单体的最低激发能级到基态级的跃迁,含罗丹明B的纳米复合介孔薄膜中,随着RhB浓度的增大,荧光峰位发生红移,这可以说明激发态分子的偶极矩减小. 相似文献
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