缓冲层和保护层对Ta(Ti)/Co/Nb多层膜热稳定性影响

采用磁控溅射法制备底层(BL)/钴(Co)/顶层(CL)三层膜,通过考察Co磁矩(M)与温度(T)的关系,系统分析了不同BL和CL对Co层热稳定性的影响。其中BL和CL分别为非磁性过渡金属钽(Ta)、钛(Ti)和铌(Nb)。研究发现,不同的非磁性底层和顶层材料对Co的热稳定性有着不同的影响,其中Ti作为BL和CL时Co的热稳定性最好。此外,与BL相比,CL在Co层的M-T具有更重要的影响,相同的CL其Co具有类似M-T曲线。实验结果可以解释为非磁性BL和CL与Co之间存在的耦合相互作用。这揭示出在纳米级多层膜中,通常用于促进晶体结构和防止氧化的底部非磁性缓冲层和顶部保护层可能对其相邻的磁性层的磁性能产生影响。     

花球状Mg(OH)2的制备及其对重金属离子的快速高效去除(英文)

由MgSO₄废液制备球形花状Mg(OH)₂,并评估其对重金属离子的吸附性能。合适的制备条件为Mg²⁺浓度2 mol/L、Mg²⁺/NH₄OH摩尔比1:0.5、温度120℃和时间1h。由超薄片组成的球形花状Mg(OH)2对重金属离子具有良好的吸附能力,6min即可达到吸附平衡。20℃时Mg(OH)₂对Ni²⁺、Cu²⁺、Zn²⁺、Pb²⁺、Fe³⁺和Co²⁺的最大吸附量分别为58.55、85.84、44.94、485.44、625.00和27.86 mg/g。吸附过程符合Langmuir模型,为单分子层吸附。吸附动力学符合准二级动力学模型,化学吸附是其作用机制。球形花状Mg(OH)₂是合格的重金属离子吸附材料。     

采用(NH4)2SO4焙烧-水浸工艺提高菱镁矿的利用效率(英文)

研究采用硫酸铵焙烧—水浸工艺提高菱镁矿的利用效率，结合XRD和TG-DTA分析以及对比硫酸铵焙烧MgO的物相变化得到焙烧过程中矿相的转化过程。实验结果表明，在菱镁矿粒度为～74μm、硫酸铵与菱镁矿物料摩尔比为1.6:1、焙烧温度为475℃和焙烧时间为2 h的条件下，镁的提取率达到98.7%。反应中物相转化过程可以概括如下：MgCO₃先转变为(NH₄)₂Mg₂(SO₄)₃，再分解得到MgSO₄。反应遵循化学反应和扩散混合控制机理，其表观活化能为33.02 k J/mol。