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1.
用改进了的射频溅射仪,在GaAs/GaAlAs DH面发光管的窗口上沉积一层厚度近于/4的Al2O3抗反射层后,其输出光功率增高了3066％。而在相同涂层条件下,退化发光管输出光功率的提高则不到30％,这可能与其体内形成缺陷有关。 相似文献
2.
在氩气氛中,贝钛坩埚作容器,从反应两端出发,测定700—900℃内反应 TiCl_(3[在KCl-NaCl(1:1)熔盐中]+1/2Ti~o?1(1/2)TiCl_(2[在KCl-NaCl(1:1)熔盐中]的平衡常数,后者是总可溶性钛浓度的函数。平衡常数随温度上升而减少,反应由左向右是放热的。用外插法求得无限稀释溶液中在700—900℃内平衡常数K′_c,从而找到系统中ΔH°,ΔF°及ΔS°等值。并按Grjotheim及Toguri方程式处理了本文的实验结果。 相似文献
3.
以TiCl_2,KCl及NaCl为原料,在金属钛坩埚或熔盐中存在金属钛的条件下,测量了KCl-TiCl_2及NaCl-TiCl_2体系状态图。同时确定了TiCl_2化合物的熔点。 相似文献
4.
提出了以氢还原TiCl_4制备TiCl_3的装置。把氢引入反应器内沸腾的TiCl_4中,混合后,在由硅碳棒加热的高温石英管表面上进行反应,生成纯TiCl_3,其产量高,且方法较为实用。 相似文献
5.
GaAs薄膜由射频溅射法制备。采用高纯Ar气作为工作气体,衬底有高纯Si单晶,GaAs单晶,兰宝石以及在硅单晶上预先生长一层几千埃厚的SiO_2膜等多种,GaAs靶有掺杂与不掺杂两种,掺杂靶的杂质浓度为10~(18)cm~(-3),衬底有加热装置,以控制薄膜沉积的温度。改变衬底及靶种类,改变衬底温度和阳极电压,便可获得一系列生长条件不同的样品。通常GaAs薄膜的厚度在5000(?)以上。 相似文献
6.
A modified conventional RF sputtering equipment is used in preparing the Al_2O_3 antireflection(AR)coating.An increase in the light output by 30—60% at a driving current of 200 mA for theGaAs-GaAlAs DH LEDs coated on the front faces with a AR coating thickness of about λ/4 hasbeen obtained.Under the same AR coating conditions a light output increase of less than 30% forthe degraded LEDs of the same type has been determined.It may probably be attributed to thedefects formed in the bulk of the Ga_(1-x)Al_xAs crystals caused by degradation of diodes which re-stricts light output increase. 相似文献
7.
金属钛与熔盐的相互作用探讨 总被引：1，自引：0，他引：1
以钛坩埚为容器,在740～860℃下,研究了钛在各种熔盐中的溶解行为,与其它碱金属氯化物相比,钛在 LiCl 熔盐中有较高的溶解浓度,而钛在钾的卤化物熔盐中的溶解浓度随熔盐阴离子半径减小而增加。此外,还检测了两种组分熔盐中的溶解量。 相似文献
8.
在氩气氛中,贝钛坩埚作容器,从反应两端出发,测定700—900℃内反应TiCl_(3[在KCl-NaCl(1:1)熔盐中]+1/2Ti~o?1(1/2)TiCl_(2[在KCl-NaCl(1:1)熔盐中]的平衡常数,后者是总可溶性钛浓度的函数。平衡常数随温度上升而减少,反应由左向右是放热的。用外插法求得无限稀释溶液中在700—900℃内平衡常数K′_c,从而找到系统中ΔH°,ΔF°及ΔS°等值。并按Grjotheim及Toguri方程式处理了本文的实验结果。 相似文献
9.
本文研究了钛与TiCl_4反应生成高产量的TiCl_2及TiCl_3。此外,还探讨了在KCl-NaCl熔盐中同一反应的过程,并制成TiCl_3。 相似文献
10.
以TiCl_2,KCl及NaCl为原料,在金属钛坩埚或熔盐中存在金属钛的条件下,测量了KCl-TiCl_2及NaCl-TiCl_2体系状态图。同时确定了TiCl_2化合物的熔点。 相似文献