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Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
3.
Journal of Communications Technology and Electronics - A quantitative comparison of the spectral characteristics of the human visual system and matrix photodetectors is carried out. Criteria for a...  相似文献   
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Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
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Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
8.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
9.
To investigate the evolution of the structural and enhanced magnetic properties of GdMnO3 systems induced by the substitution of Mn with Cr, polycrystalline GdMn1-xCrxO3 samples were synthesized via solid-state reactions. XRD characterization shows that all GdMn1-xCrxO3 compounds with single-phase structures crystallize well and that Cr3+ ions entering the lattice sites of GdMnO3 induce structural distortion. SEM results indicate that the grain size of the synthesized samples (a few microns) decreases as the Cr substitution concentration increases. Positron annihilation lifetime spectroscopy reveals that vacancy-type defects occur in GdMn1-xCrxO3 ceramics and that the vacancy size and concentration clearly change with the Cr content. The temperature and field dependence of the magnetization curves show that Cr substitution significantly influences the magnetic ordering of the gadolinium sublattice, improving the weak ferromagnetic transition temperature and magnetization of GdMn1-xCrxO3. The enhanced magnetization of GdMn1-xCrxO3 is closely related to the vacancy defect concentration.  相似文献   
10.
Semiconductors - Abstract—In our work, we carry out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen-plasma activation on a hybrid...  相似文献   
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