经有机交联剂活化的低相对分子质量聚合物在墨西哥湾南部水波及矿场的应用

墨西哥南部地区面临的挑战之一是水管理.油流中的水增加了其处理费用,导致结垢,降低了采油量,最终关井(与修井费用有关).甚至当产层中仍然含有大量可采油气时,也常常将这些层废弃以避免产水.虽然天然裂缝对油流有积极的作用,但它们也促进了由锥进效应或油气产层和其上或下层段之间的高渗透薄夹层引起的水或气的流动.如果这些油层产水,就会很快影响其生产能力.另一个必须解决的问题是:边水通过断层、天然裂缝等流动引起的早期水突破.本文将讨论墨西哥南部使用经有机交联剂活化的低相对分子质量聚合物的实例,介绍候选对象的选择过程、总体作业设计、实验室试验结果等,以及在这一地区进行的降低产水量处理.实例中包括衰竭、高度裂缝性油藏.     

Performance and Commercial Application of the Promoter LCC-A for Maximization of Propylene Yield

1 Introduction Propylene as an important feedstock for organic chemicals is mainly originated from steam cracking and catalytic cracking processes. During the FCC process the propylene content varies with the FCC catalyst and process technology adopted, resulting in significant difference in propylene concentration in the cracked product——LPG. The conventional FCC pro- cess generally gives a propylene yield of around 4%, while the FCC process with maximization of propylene yield can in…     

细节决定采输卤的成败

通过认真学习《细节决定成败》，结合井矿盐开采的实际，分别以生产过程中的三个细节为主，讨论了在采输卤生产技术控制中的细节的重要性。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

优化设计 确保干式气柜安全运行

稀油密封干式气柜普遍应用于钢铁企业储存煤气,而用于炼油厂储存瓦斯气也仅仅是近些年出现的现象,由于干式气柜自身特点所限,一些炼油企业在使用过程中出现一些问题,导致气柜不能安全、有效运行,重点介绍克拉玛依石化公司在干式气柜运用方面的一些经验和体会,希望给有关设计和生产单位提供参考。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

双波长稳频CO_2激光模糊控制系统的建模与优化

报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器，用于双波长稳频ＣＯ２激光器的控制得到令人满意的结果。     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

无机高分子絮凝剂聚硫酸铁合成条件的研究

实验研究了以工业硫酸亚铁及废硫酸为原料,分别采用NaClo_3、KClO_3、H_2O_2及(o_2+NaNO_2)为氧化剂成聚硫酸铁的条件。在以(O_2+NaNO_2)为氧化剂的合成过程中,发现添加微量助催化剂(型号为HG-1、HG-2和HG-3),对提高合成速度及反应过程的稳定性具有重大作用。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。