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1.
Rapid synthesis of silver nanowires(Ag NWs) with high quality and a broad processing window is challenging because of the low selectivity of the formation of multiply twinned particles at the nucleation stage for subsequent Ag NWs growth.Herein we report a systematic study of the water-involved heterogeneous nucleation of Ag NWs with high rate(less than 20 min) in a simple and scalable preparation method.Using glycerol as a reducing agent and a solvent with a high boiling point,the reaction is rapidly heated to 210 ℃ in air to synthesize Ag NWs with a very high yield in gram level.It is noted that the addition of a small dose of water plays a key role for obtaining highly pure Ag NWs in high yield,and the optimal water/glycerol ratio is0.25%.After investigating a series of forming factors including reaction temperature and dose of catalysts,the formation kinetics and mechanism of the Ag NWs are proposed.Compared to other preparation methods,our strategy is simple and reproducible.These Ag NWs show a strong Raman enhancement effect for organic molecules on their surface.  相似文献   
2.
反转构造的反转程度及其与油气聚集的关系   总被引:10,自引:2,他引:8  
结合典型反转构造地震剖面,分析了断层型和褶皱型两类反转构造的反转程度,上下皆正断层型和向形褶皱型反转构造的反转程度轻微;上逆下正断层型和透镜形褶皱型反转构造的反转程度中等;上下皆逆断层型和背形褶皱型反转构造的反转程度强烈。分析了反转构造的反转程度与油气聚集的关系,处于轻微反转程度的上下皆正断层型反转和向形褶皱型反转,以及处于强烈反转程度的上下皆逆断层型反转和背形褶皱型反转不利于油气聚集;处于中等反转程度的上逆下正断层型反转和透镜形褶皱型反转类型有利于油气聚集成藏。  相似文献   
3.
范迎春 《电子质量》2003,(4):146-147
本文介绍一种智能型、高精度PWR控制器SA4828,其控制实行全数字化产生三相脉宽调制波形.本文采用此器件设计大功率直流电源应用于22KW直流电机测试,对感性负载表现出具有纹波小,响应迅速、硬件电路简洁、控制简单易于编写的优点。  相似文献   
4.
SCB火工品的研究与发展   总被引:9,自引:2,他引:7  
文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。  相似文献   
5.
本工艺是对原有工艺的改进,突破了原有布帮鞋不能采用无浆贴合的局限性,对原有工艺中的不足有了很大的改进,提高了生产效率,改善了鞋子外观质量,增加了鞋子的美观性。  相似文献   
6.
This paper compares the results Of calculat-ing pore structure and graphing differential and integralpore size distribution by hand and Computer,and presents thatlagrangian interpolation uesd by calculating pore structure issuitable and reliable.  相似文献   
7.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
8.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。  相似文献   
9.
张荣  曲宏伟 《微电子学》1998,28(6):437-439
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。  相似文献   
10.
1. INTRODUCTIONThemaingoalofthispaperistoexplorethepossibilitytolearnmoreaboutthemechanismofturbulentboundarylayerflowinteractionsanditseffectsoncompliantwallperformance.Therearecertainprerequisiteconditionstofurtherthestudyonthemechanism,i.e.theco…  相似文献   
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