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1.
16厘米低能强流宽束离子源
冯毓材
于梦蛟
冯隽
《光学仪器》
2004,26(2):76-78
介绍了一个新型16厘米束径多会切磁场低能强流宽束离子源(MCLB-16)。由于采用新型多会切磁场和优化的低能引出系统,所以该源在薄膜辅助沉积的能量(200eV~800eV)范围内,具有较好的低能特性。源的最大引出束流可达650mA。可用反应气体或惰性气体工作。源在使用氧气时,可连续工作数十小时。该源可用于各种高性能薄膜制备的辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜(DLC)。叙述了该源的结构及性能。
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