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1.
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展
总被引:1,自引:0,他引:1
高尚
李洪钢
康仁科
何宜伟
朱祥龙
《机械工程学报》
2021,57(9):213-232
氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后,制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度LED等高性能半导体器件的新一代半导体材料,大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的瓶颈之一.针对易产生结构缺陷的氧化镓单晶的制备,系统阐述...
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