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采用两步还原法对氧化石墨烯(GO)进行还原,并在还原过程中通过重氮盐反应对石墨烯表面进行磺酸化,改善了石墨烯在水中的溶解性。采用原子力显微镜(AFM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、拉曼光谱(Raman)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对石墨烯的形貌以及在还原过程中的组成结构变化进行了表征。经过还原和磺酸化的石墨烯,碳原子平面上的含氧官能团大量消失,得到的石墨烯片尺寸约为1μm,层数大致为双层,可以均匀稳定地分散在水中。在此基础上,研究了石墨烯作为荧光淬灭底物淬灭高量子效率的荧光染料罗丹明B溶液的行为,证实了石墨烯是一种良好的荧光淬灭剂。这为其在荧光探测和生物分子传感方面的应用打下了基础。 相似文献
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ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一.主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向. 相似文献
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脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 总被引:2,自引:0,他引:2
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度 相似文献