基于LTCC技术的表贴式封装SAWF

提出一种基于低温共烧结陶瓷(LTCC)技术的封装形式,将声表面波滤波器(SAWF)做成表面贴装器件(SMD).该封装结构可实现SAWF基片表面上方2个换能器间的隔离,提高SAWF的阻带抑制,其器件适合于高密度组装,进而可演变成SAWF集成在电路模块的LTCC多层电路板上,即直接将SAWF的裸基片掩埋在LTCC多层电路板内,实现器件—电路—体化.     

纳米复合ZnO粉体烧结过程晶粒生长的分析

根据ZnO晶粒生长动力学方程,确定了晶粒生长的动力学指数和激活能,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律。实验结果表明:由纳米复合ZnO粉体制备的陶瓷,其晶粒生长动力学指数n为3,激活能Q为(185±26)kJ/mol。与微米粉体相比,纳米复合ZnO粉体的晶粒生长动力学指数和激活能都比较小,因此液相烧结的温度低,晶粒生长速度加快。     

银浆料LTCC镀金基板工程应用研究

提出了一种在银浆料LTCC基板表面银导体上采用化学镀镍钯金工艺制造LTCC微波多层基板的新方法。不同体系的生料、浆料试验表明选择合适的生料和浆料配套材料,可实现银浆料LTCC镀金基板的可靠性制造。通过镀层可键合性能优化镀层厚度参数,测试了银浆料LTCC镀金基板镀层可键合性、可焊性、耐焊性、膜层可靠性、基板可靠性、基板环境适应性及电性能,各项性能均能满足微波组件的工程应用要求,其膜层可靠性甚至优于全金导体LTCC基板,为LTCC微波多层基板的低成本生产提供了一条有效的技术途径。     

烧结温度和热处理对ZnO压敏陶瓷的影响

首次提出用"微观网络"的分析方法来研究ZnO压敏陶瓷的相结构和电性能,并对其"微观网络"中的两个节点即烧结温度和热处理温度进行研究,结果显示:随着烧结温度的升高,ZnO压敏陶瓷的压敏电压不断下降,非线性系数则不断提高,至1250℃达到最大值。这主要与晶粒的大小、均匀度以及晶界势垒的高度有关。对于热处理温度,研究结果表明:在600℃下的热处理能大大提高ZnO压敏陶瓷的稳定性。通过对"微观网络"中烧结温度和热处理温度的研究,可以确定较佳的工艺参数。     

烧结升温速率对低温共烧陶瓷基板性能的影响

烧结是低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺中关键工序之一,对LTCC基板的各项性能指标具有重要的影响。本文以国产MG60生瓷带为研究对象,研究了不同烧结升温速率对LTCC基板介电性能、翘曲度、膜层附着力、抗折强度等性能指标的影响,分析了基板性能变化的原因。结果表明,当升温速率为8 ℃/min时,基板介电常数为5.788,介电损耗为8.21×10^-4,基本无翘曲,烧结致密,附着力强,抗折强度达到175 MPa。     

导体厚度对LTCC电路微波性能的影响

贵金属导体占据低温共烧陶瓷(LTCC)成本的主要部分,降低贵金属导体用量是控制LTCC成本的重要途径之一.采用不同目数的丝网印刷获得了不同厚度的金属导体,研究了不同厚度导体对带状线的微波性能影响;制作了低膜层厚度的T/R组件,并测试了其的微波性能.研究结果表明,导体厚度控制在5μm以上对带状线的插入损耗和回波损耗影响较...     

应用于MCM-C/D的减薄抛光工艺

混合型多芯片组件(MCM-C/D)研制技术具有共烧陶瓷技术高密度多层互连集成和薄膜电路高精度和高可靠性等优点,是目前先进实用的混合集成技术.共烧多层基板的总厚度差(TTV)和表面粗糙度是影响共烧多层基板在多芯片组件(MCM)中应用的关键因素.选取低温共烧陶瓷基板,研究了减薄抛光工艺对基板的作用机理,结合实际加工要求选择...     

微波基板表面可焊性镀层的制备及性能评估

文中针对低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC）微波多层基板高密度布线和多深腔的结构形态,结合化学镀工艺过程及原理,讨论了采用化学镀在LTCC微波多层基板表面制备可焊性镀层的工艺难点。针对某微波多层基板化学镀生产中出现的漏镀和渗镀缺陷,深入分析了各影响因素及作用机理,借助扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）、能谱仪（Energy Dispersive Spectrometer, EDS）等微观分析手段,确定了引起漏镀和渗镀缺陷的主要原因,采取酸漂洗、增强玻璃刻蚀条件等措施,解决了漏镀和渗镀的难题。对可焊性镀层的附着力和键合可靠性进行了测试评价,结果表明,金属浆料及可焊性镀层均附着良好,键合强度较高,键合点可靠,能很好地满足微波组件的应用要求。     

多元纳米复合氧化锌压敏陶瓷的晶粒生长

研究了多元纳米复合ZnO电压敏粉体在高温下的烧结行为.应用晶粒生长的动力学方程Gn-G0=K0texp(-Q/RT),确定了晶粒生长的动力学指数n和激活能Q.实验结果表明,随着烧结温度的提高和保温时间的延长,ZnO压敏陶瓷的晶粒不断长大,其动力学指数n=3.2,激活能Q=(185±28)kJ/mol.     

基于田口方法的混合集成基板CMP工艺优化研究

为了提高多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM-C/D)技术中低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)基板的表面质量,需要采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺使基板表面平坦化.文中探讨了基于田口试验方...