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采用直流等离子CVD法,以甲烷作碳源,在钼、硅、钨和石英等基体上合成了高质量的金刚石膜。其生长速率达60μm/h。合成的金刚石膜呈半透明状,膜的表面形貌随着沉积条件的变化而变化。X射线衍射结果表明,在钼、钨和硅基片上合成的金刚石膜与基体之间有一层碳化物的过渡层。 相似文献
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