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1.
工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 相似文献
2.
3.
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5.
固相反应法制备 Ce:LuAG透明陶瓷 总被引:3,自引:0,他引:3
以Lu(NO3)3和NH4HCO3为原料,采用沉淀法制备了平均粒径约为40nm的Lu2O3粉体,以该粉体和市售的Al2O3、CeO2超细粉体为原料,采用固相反应工艺,经1760℃真空烧结10h,制备出透明的Ce:LuAG陶瓷,该透明陶瓷在可见光范围内的透过率为56%,X射线激发下的发射光谱为Ce^3+的特征发射,范围在470-650nm,和同类单晶的光谱一致,正好在硅光电二极管的高敏感曲线范围内,满足于闪烁体的性能要求,是一种有应用前景的闪烁材料. 相似文献
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7.
8.
Al/SiC是SiC基复合材料, 具有优异的力学性能和热学性能, 在大功率电子器件、5G基站关键冷却组件、电动汽车、高速刹车片、空间探测器操作装置等相关领域具有不可替代的作用。传统制备工艺的局限性使得近净成形的无压浸渗法成为制备Al/SiC复合材料的一种较好的方法。得到高质量的碳化硅(SiC)陶瓷素坯是熔渗技术的先决条件, 选区激光烧结技术是获得高质量陶瓷素坯的一种新方法。该方法具有快速、高效的优点, 无需模具即可成型制备大规模、复杂形状部件。本研究以热塑性酚醛树脂为黏结剂, 利用机械混合与喷雾造粒的方法制备了复合粉体, 采用选区激光烧结技术制备SiC素坯, 制备了黏结剂体积分数低至15%的样品, 并对其力学性能和微观结构进行表征。当树脂含量增大到体积分数25%时, SiC坯体的强度增量为702.1%。对于喷雾造粒粉体制备的样品而言, 喷雾干粉的多孔结构使得SiC生坯的孔隙率较高(71.18%), 导致生坯强度下降。 相似文献
9.
无机盐溶胶-凝胶法制备超细ZrB2-ZrC复合粉体 总被引:3,自引:1,他引:2
利用ZrO2-B2O3-C体系中碳热还原的基本原理,分别采用氧氯化锆、硼酸和酚醛树脂作为ZrO2,B2O3和C的来源,利用溶胶-凝胶法制备出超细ZrB2-ZrC复合粉体.采用热分析仪,X射线衍射和透射电镜对前驱粉体煅烧中的热力学过程,复合粉体的物相以及粒径和形貌进行了分析和表征.结果表明,ZrB2、ZrC相在1300°C开始生成,1500°C煅烧1h后碳热还原反应基本完成.复合粉体的平均粒径在200nm左右,比表面积达87m2g-1,加入1.0wt%的聚乙二醇作为分散剂时,粉体的团聚现象得到很大的改善. 相似文献
10.
纳滤膜在北京阿苏卫填埋场渗滤液改扩建工程中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
在阿苏卫垃圾卫生填埋场渗滤液改扩建工程中,以膜生物反应器(MBR)的出水为研究对象,考察了在一定的pH、进水流量、操作压力下纳滤膜对CODcr、NH3-N和电导率的去除情况.结果表明:在设备初期运行阶段,在pH为7、操作压力为0.5 MPa时,纳滤膜对CODcr的去除率达75%;对NH3-N的去除率较低,出水的NH3-N值略低于进水;对电导率的平均去除率达55%.此外,还分析了纳滤膜的运行性能以及与原有反渗透处理工艺联合使用等问题. 相似文献