全文获取类型
收费全文 | 76篇 |
免费 | 6篇 |
国内免费 | 1篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
综合类 | 5篇 |
化学工业 | 12篇 |
金属工艺 | 2篇 |
机械仪表 | 4篇 |
建筑科学 | 2篇 |
矿业工程 | 1篇 |
轻工业 | 22篇 |
水利工程 | 2篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 18篇 |
一般工业技术 | 3篇 |
冶金工业 | 3篇 |
自动化技术 | 4篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 2篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1997年 | 2篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
排序方式: 共有83条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
形式化的协议性能测试框架 总被引:3,自引:1,他引:2
随着计算机网络技术和网络应用的迅速发展,网络协议性能测试变得越来越重要本文基于形式化方法,提出了一种协议性能测试的理论框架。首先给出了性能和性能测试空间的定义,然后提出了性能测试的结构框架,并详细描述了各个模块,最后形式化地描述了性能测试的各个阶段。 相似文献
2.
3.
4.
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。 相似文献
5.
6.
7.
8.
针对SpaceWire数据通信的特点,提出一种实现SpaceWire接口卡的方法.通过对SpaceWire总线技术和PCIe总线技术的研究,提出以RMAP_ IP核为基础,利用PCIe实现SpaceWire节点设备与星载主机的通信.重点介绍了SpaceWire接口卡硬件设计的方案,同时自主研制了驱动程序与应用程序对该方法进行了验证.实验表明:该接口卡具有设计简单、尺寸小、应用范围广,以及低功耗等特点,可以实现SpaceWire设备和上位机进行通信的功能,并可用来对SpaceWire网络通信状况进行实时监测. 相似文献
9.
GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meⅤ、6.28meⅤ、6.28meⅤ。 相似文献
10.