排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
当集成电路技术节点进入10 nm及以下，传统的铜(Cu)互连材料面临着阻容(RC)延迟高、电子散射强等问题，钴(Co)作为制程工艺中的新材料，以其更低的电阻率、更高的硬度和更低的平均电子自由程，成为了替代Cu作为互连材料的优选金属。化学机械抛光(CMP)是去除Co布线层多余材料，实现全局平坦化的唯一技术。而抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一，其性能的好坏直接决定了晶圆的抛光效果和良品率。回顾了近年来钴互连金属材料的各种新型抛光液的国内外研究进展，讨论了不同化学添加剂对Co材料的去除速率、腐蚀抑制和表面质量的影响。同时总结了钴互连CMP抛光液面临的挑战及发展方向。 相似文献
1