低温化学气相沉积SiC涂层沉积机理及微观结构

由MTS-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了SiC涂层沉积速率和温度之间的关系,MTS-H2体系沉积反应的平均活化能为114kJ/mol,用理论模型证明了低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程.SiC涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:沉积温度T<1150℃时,CVD SiC涂层表面致密、光滑;T≥1150℃时,CVD SiC涂层表面变得疏松、粗糙.随着沉积温度的升高,CVD SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度T≥1150℃,CVD SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC占主体外还出现了少量α-SiC.     

界面涂层对液相硅浸渗制备C/SiC复合材料力学性能的影响

采用化学气相沉积工艺对短切碳纤维毡体进行界面涂层改性处理后树脂浸渍裂解得到了多孔C/C预制体,再将预制体液相硅浸渗制备了C/SiC复合材料.对比了纤维有无界面涂层对C/SiC复合材料力学性能的影响,并分析了其断裂机制.结果表明,与无界面涂层改性相比,碳毡经化学气相沉积SiC涂层改性处理后制备的C/SiC复合材料的力学性能更好,强度和模量分别提高了192％和36％.界面涂层增强了纤维的抗硅化效果是C/SiC复合材料力学性能提高的主要原因,但同时复合材料也呈现出脆性断裂模式.     

基于社会网络的社团内部个体成员信息的获取和积累算法研究

优化算法有多种多样，且都有一定得应用背景。本文提出基于社会网络的智能优化算法。社会网络映射出了全局感知、交叉和变异、种群划分等相融合的优化思想。该算法的提出解决了以往优化算法只满足单一背景与实际情况复杂多样的矛盾。更好的解决了关于优化的相关问题。     

基于OBE理念的分析化学实验教学改革研究

以学生中心、产出导向、持续改进的OBE理念,是师范类专业认证工作的行动指南,贯穿师范类专业认证全过程.在《分析化学实验》课程中,本学院教学团队基于OBE教学理念,进行了教学改革.通过修订课程教学大纲,调整实验内容,改进教学模式和优化评价机制,促进了实验教学内容与中学实验相关性、增强了团队协作能力和学生的学习兴趣,为化学...     

氧化物/氧化物陶瓷基复合材料研究进展

随着连续纤维增韧陶瓷基复合材料的快速发展,氧化物/氧化物基复合材料已成为 航空航天领域热端高温部件的新兴候选材料,本文从纤维、基体及界面相的角度重点介绍了氧 化物/氧化物基复合材料及其主要制备工艺,并指出了这一领域未来的发展趋势。     

低温化学气相沉积SiC涂层显微结构及晶体结构研究

在CH_3SiCl_3-H_2体系中,采用化学气相沉积法(CVD)在1000～1300℃制备了SiC涂层。研究了SiC涂层的沉积速率和温度之间的关系,发现低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程,反应的表观活化能为85～156 kJ/mol。SiC涂层的外观颜色及涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:当沉积温度<1150℃时,SiC涂层的外观颜色为银白色,涂层表面致密、光滑;当温度≥1150℃时,SiC涂层外观颜色逐渐变暗,涂层表面变得疏松、粗糙。利用XRD分析了不同沉积温度下SiC涂层的晶体结构,随着温度的升高,SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度≥1150℃,SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC外还出现了少量α-SiC。     

基于“学生中心”理念的混合式教学研究——以食用醋总酸度的测定实验为例

食用醋总酸度的测定实验中,传统的单一线下讲授教学模式在仪器操作规范化和实验结果计算公式的推导中存在不足。本学院分析教学团队以“学生中心”,对食用醋总酸度的测定实验进行了线上线下混合式教学。通过线上学生自主观看教师录制的仪器操作视频,线下组织学生进行仪器操作比赛和分组讨论推导实验结果计算公式,引导学生开展自主、合作和探究性学习,激发了学生的学习热情,提高了学习效率和常规仪器操作的规范性。     

硫回收尾气余热锅炉列管堵塞原因分析及优化措施

结合工艺流程和工艺特点,对硫回收装置运行过程中尾气余热锅炉列管频繁堵塞情况进行分析,通过改造硫比值分析仪及尾气焚烧炉配风系统、定期外排含硫甲醇、提高制硫燃烧炉及转化器入口温度、提高硫比值等措施,使问题得到了解决。     

锶钽氧氮化物功能陶瓷的高效合成、致密化及介电性能研究

AB(O,N)₃型钙钛矿氮氧化物是一类新型功能陶瓷材料,具有独特的介电/磁/光催化等性能,在能源存储与转化领域应用前景广阔,但传统制备工艺耗时长且产物纯度较低。本研究以尿素为氮源、金属氧化物为前驱体,采用无压放电等离子烧结设备一步合成了钙钛矿氮氧化物SrTa(O,N)₃陶瓷粉体,并实现了快速致密化。深入研究了升温速率和合成温度对粉体组成与微观形貌的影响,并对优化后制备的陶瓷块体进行了介电性能表征。结果表明,较高的升温速率和适中的合成温度有利于氮化反应的充分进行,在100℃/min和1000℃下制得的SrTa(O,N)₃粉体纯度最高,氧氮化物相含量约97%,粒径分布区间为100～300 nm, Sr、Ta、O、N四种元素分布均匀。较优的致密化工艺为烧结温度1300℃、升温速率300℃/min、保温时间1 min,经烧结制得的SrTa(O,N)₃陶瓷试片致密度可达94%以上,且纯度很高,该材料在300Hz时的介电常数高达8349,介电损耗为10–4量级,优于文献报道值。本研究制备的SrTa(O,N)     

多孔C泡沫预制体液相渗硅制备C/SiC复合材料研究

以多孔C泡沫为预制体,利用液相渗Si工艺制备了C/SiC复合材料。采用酚醛树脂浸渍-裂解工艺对C泡沫预制体的孔隙率进行调整,考察浸渍-裂解周期对C泡沫预制体孔隙率的影响,研究了C泡沫预制体孔隙率对C/SiC复合材料密度、力学性能、组成和结构的影响。结果表明:预制体孔隙率为72%时制备的C/SiC复合材料性能较好,其密度为2.58g/cm3、弹性模量为81.39GPa,抗弯曲强度为83.88MPa;随着预制体孔隙率的降低,复合材料的密度、弹性模量和抗弯曲强度不断降低,预制体孔隙率的降低影响液相Si充分扩散与C反应,造成复合材料内部存在大量闭孔,这是导致C/SiC复合材料性能下降的主要原因。