大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究

Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,得到了合适的加工条件为偏压8 V和扫描速度1μm/s。     

超高速电光采样技术

详细论述了超高速电光采样技术的原理和实现方法,提出了不断改善电光采样的方法,对比了电光采样和其他采样技术的时间分辨力和带宽.     

利用梯度下降极小惯量法的脑中线偏离度算法

大脑受到创伤后往往会伴随着结构的移位,而脑中线的移位程度对医生预估脑内压强、脑疝等脑部创伤后并发症的重要标准。本文以两位脑创伤患者在接受治疗期间内的影响资料为对象,研究了用梯度下降的极小惯量法计算大脑的理想对称轴,并与患者的实际脑中线相比较,归一化后脑中线偏离度随时间变化的趋势图与临床的症状完全吻合,因而对医生的临床判断具有重要意义。     

超高速光导开关的机理及测试系统

超高速光导开关是纳米电子器件和纳米光电子器件的主要研究目标之一,本文在分析光导开关基本工作原理和关键技术的基础上,对光导器件的材料进行了研究和选择,设计了先导开关飞秒响应的测量装置,并对其应用进行了介绍.     

相对湿度对AFM针尖阳极氧化金属薄膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的金属 (Ti、Al、Nb等 )纳米氧化线是实现金属 半导体纳米器件的基础 ,由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度 ,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响 ,结果表明进行氧化加工Ti膜的较好的湿度范围为 30 %～ 5 0 %。     

相对湿度对AFM针尖阳极氧化金属薄膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的金属(Ti、Al、Nb等)纳米氧化线是实现金属-半导体纳米器件的基础,由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度,对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用.实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响,结果表明进行氧化加工Ti膜的较好的湿度范围为30%～50%.     

用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工

为利于与微电子加工工艺相结合，基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线。偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。在温度(20℃)、相对湿度(30％)和氧气浓度(20％)基本保持不变的情况下，在不同的偏置电压和扫描速度下加工了5μm长的Ti氧化线，研究了不同偏置电压和扫描速度对Ti氧化线加工特性的作用，在偏置电压8V和扫描速度0.1μm／s条件下得到了比较理想的长Ti氧化线。     

大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析

通过AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的实验得到了凸出的Ti膜氧化物高度与偏置电压成线性关系,并和针尖扫描速度成负对数关系,在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,分析得到了合适的加工条件即:偏压为8V,扫描速度为0.1μm/s.     

隧道结TiOx线宽度对隧穿现象的影响

在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiO x作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响,确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件,通过控制空气中的相对湿度,在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下,加工出宽度分别为15.6,34.2和46.9nm的钛氧化线,测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性.结果表明,在两电极的偏压为6V时不引起隧穿的前提下,可以在超高速光导开关两电极间加工最小宽度大约为10nm的氧化钛线.     

相对湿度对AFM针尖阳极氧化金属薄膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的金属(Ti、Al、Nb等)纳米氧化线是实现金属-半导体纳米器件的基础，由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度，对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响，结果表明进行氧化加工Ti膜的较好的湿度范围为30％～50％。